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N3856V动作原理说明 1.方块图 VCCPGNDRT/CTDRAINGNDAoutGATEBIAS VCC PGND RT/CT DRAIN GND Aout GATE BIAS 2.说明 DISCONTINUE MODE DISCONTINUE MODE是利用流经 MOSFET两端的电流与 MOSFET本身之Rds(ON)形成 电压降(VSD)和内部参考电压20mV比较来控制MOSFET的导通与关闭,N3856V内部有一 个电流侦测电路(current decter),其侦测端直接接于MOSFET之源极(S)与泄极(D),因为此 IC之参考接地为MOSFET之源极(S),所以电流侦测电路接于源极之侦测端在 IC内部已经接 至IC之参考接地不需外接至外围电路，此电流侦测电路为一可调输出斜率之比较器 ，利用 BIAS pin来调整GATE波形由Hi变Lo的斜率，，当一次侧OFF而二次侧转态为正极性时, 起初MOSFET尚未导通，变压器输出电流借 MOSFET Body Diode或并接之萧特基二极管 (若有并接此二极管的话)通过，此输出电流造成在MOSFET两端之压降如果大于20mV参考 电压的话，则N3856V pin1输出呈高电位使得MOSFET导通,输出电流则改道流经 MOSFET 之S与D, discontinue mode的输出电流是呈锯齿波递减至零，当MOSFET导通后会持续侦 测MOSFET之S与D两端压降，一侦测出电流乘以Rds(on)小于20mV即调整IC pin1电 压波形由高电位递减为低电位至 MOSFET关闭为止，MOSFET因闸极电压下降使得阻抗增 大而截止,N3856V为了提供不同使用电源电压和 MOSFET之场合，故提供BIAS pin外接电 阻用来修正电流侦测电路灵敏度，电阻大时高电位递减斜率较小，电阻小时高电位递减斜率较 大? 图一为DISCONTINUE MODE控制波形示意图 下图为变压器输出电流与 MOSFET GATE 波形，电流小于1.3A左右时GATE波形开始降低 使MOSFET截止. f T 1 n ] 1 L ■ U J 5.00 V Ch2 Stop 丁△: 505IQIZ A： 2.30 V 皿 1 43MH2 ?: 17.7 V 1.00 V Q M 1 OOR AXJI V Bar Units I/sec (Hz) -1.68000ps H Bar Units Base CursorFunction Off V Bars Bri ngselected Cu rsor To匚enter Screen Bring BothCursors On Screen bun ction Mod 电 V Bars I nd 图1变压器输出电流与 MOSFET GATE 在discontinue mode 实测波形 CONTINUE MODE CONTINUE MODE是利用N3856V内部另一回路所控制,变压器输出电流如果是 CONTINUE MODE的话，则电流无法小到如图一的1.3A水准可以截止MOSFET,此时上述 之电流无法在适时关闭 MOSFET必须仰赖CONTINE MODE DUTY CYCLE 设定回路来适时 关闭MOSFET,动作如下，当一次侧OFF而二次侧转态为正极性时,VCC经由串接于输出绕组 之辅助电源绕组取得正电压供应IC内部电源，IC 一有电源之后立刻将输出pin1转变成高电 位致使MOSFET导通,此时由VCC提供电流经外接电阻对pin7电容充电，当pin7电压波形 达到内部1/3 VCC电压之参考电压时，比较器输出转变为低电位，使得pin1输出亦立即变成 低电位，MOSFET由导通变为截止. 由于 N3856V continue mode duty cycle 设定回路是固定限制 MOSFET 之最大 duty cycle, 所以必须在90V最低AC输入电压及最大输出电流时调整 pin7之RT/CT并预留足够之dead time以免因duty变动造成输出能量倒流入变压器产生损失或波形失真情形 . 下图图三为在continue mode之波形示意图. 图三为CONTINUE MODE控制波形示意图 V V 260ns 260ns 丄 Ch2 J -8.SO V =t = BEU 20.0 V ^(Ch2 20.0 V 切IV1 kOOps A l.OOps a^[-3.06000jis Math 20.0 V 17 Jun 2003 04:09:42 图 4 为 MOSFET GATE 在 continue mode 实测波形 Delay Time measureme nt (120W,19V/6.3A), non-sy nchronous si