电子厂工艺流程介绍：Array制程与检测介绍.ppt

Etching type selection PEP 1 Mo/AlNd wet etch PEP 2 SiNx /α-Si/ n+-Si dry etch PEP 3 Mo/Al/Mo;α-Si/ n+-Si wet/dry etch PEP 4 SiNx dry etch PEP 5 ITO wet etch 干刻用气体 反应方程：Cl2+SF6+Si→SiF4↑+SiS2↑+其他 Cl2：Cl元素的供给源，刻蚀a-Si的主要气体。 SF6：F元素的供给源，用来与a-Si发生反应，提高刻蚀速率。 a-Si的刻蚀 反应方程：SF6+He＋SiN→ SiF4↑+SiS2↑ +其他 SF6：F元素的供给源。 He：使等离子体均一化 2.SiN的刻蚀 3.PR灰化（Ashing） 反应方程：PR+O2→ O2：利用等离子体方法去除PR O2：有利于形成Taper角 湿刻 M1：Mo/AlNd M2：Mo/Al/Mo ITO 草酸（H2C2O4） HNO3+CH3COOH +H3PO4 Etching mode Spray喷淋 Spray+Dip Dip 浸入 Good taper shape Faster Etching rate Step 1：Spray Step 2：Dip AOI　 ←　2160mm　→ ←　　2400mm　　→ 3GB×44unit=132GB The CCD sensor detect the substrate, Image by the process unit. Defect can be reviewed precisely AOI – Auto optical inspection TEG prober and Tester Array laser repair After Striper After laser repair Inlayer repair(PEP1) Data from AOI Example: Metal Al/ND:532nm Defect type Repair method Metal residue Metal residue GC short 用Block laser 将残留metal打掉 用Block laser 将残留metal打掉 Metal residue 用Block laser 将残留metal打掉 波长选择532nm 技术名称 优 点 缺 点 半反射半透射技术（Transflective） 省电、室外显示效果好 制程复杂、良率降低 多畴垂直取向/电极图形垂直取向技术 (MVA/PVA) 视角广、对比度高、响应时间短、不需要摩擦制程 制程复杂、良率降低 平面内转换技术 (IPS) 视角广、低色移 制程复杂、良率降低、透过率低、耗电量高 光学补偿弯曲排列技术 （OCB） 响应速度快（包括低温情况）、视角广 制程复杂、良率降低、需要预置电压 有机膜高开口率技术（HAR） 开口率高、透过率高 制程复杂、良率降低、增加材料成本 非晶硅栅驱动器与有源矩阵显示集成技术 （ASG） 成本更低、结构更紧凑、机械可靠性更高 发热量高 4掩模版技术 （4 MASK） 产量提高、成本降低 良率降低 异形panel 满足产品个性化需求 制程复杂 新型显示技术 Array制程与检测介绍 TFT-LCD简介 1.何谓TFT-LCD： TFT─Thin Film Transistor 薄膜晶体管 LCD─Liquid Crystal Display 液晶显示器 2.应用：由于TFT-LCD具有体积小、重量轻、低辐射、低耗电量、全彩化等优点 ，故已广泛使用于各类显示器材上 數碼相機 數碼攝錄影機 汽車導航顯示器 數碼影音光碟機 筆記型電腦 桌上型顯示器 液晶電視 厂商 地区 尺寸 投产日期 2002 2003 2004 2005 设计产能 LG.Philips LCD 韩国龟尾 第5代 1000X1200 1季度 6万/月 韩国龟尾 第5代 1100X1250 1季度 6万/月 韩国龟尾 第6代