- 1、本文档共21页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
Question Answer
PIE
1
PIE
何谓 PIE? PIE 的主要工作是什幺 ?
答: Process Integration Engineer(工艺整合工程师 ), 主要工作是整合各部门的资源 , 对工艺持续进行改善 , 确保产品的良率( yield)稳定良好。
200mm,300mm Wafer 代表何意义 ?
答: 8 吋硅片 (wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm 硅片即 12 吋.
目前中芯国际现有的三个工厂采用多少 mm 的硅片 (wafer)工艺?未来北京
3.
的 Fab4(四厂 )采用多少 mm 的 wafer 工艺?
答:当前 1~3 厂为 200mm(8 英寸 )的 wafer, 工艺水平已达 0.13um 工艺。
未来北京厂工艺 wafer 将使用 300mm(12 英寸 )。
我们为何需要 300mm?
答: wafer size 变大,单一 wafer 上的芯片数 (chip)变多,单位成本降低
200→300 面积增加 2.25 倍 ,芯片数目约增加 2.5 倍
8〞 12〞
200mm 300mm
所谓的 0.13 um 的工艺能力 (technology)代表的是什幺意义?
答:是指工厂的工艺能力可以达到 0.13 um 的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时,整个器件就可以变的越小,工作速度也越快。
6.
0.35um-0.25um-0.18um-0.15um-0.13um 的 technology改变又代表
的是什幺意义?
答:栅极线的宽(该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低) 做的越小时,工艺的难度便相对提高。从 0.35um - 0.25um - 0.18um - 0.15um - 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
一般的硅片 (wafer)基材 (substrate)可区分为 N,P 两种类型( type),何谓 N,
7.
P-type wafer?
答: N-type wafer 是指掺杂 negative 元素 (5 价电荷元素,例如: P、 As) 的硅片 , P-type 的 wafer 是指掺杂 positive 元素 (3 价电荷元素 , 例如: B、In) 的硅片。
2
工厂中硅片( wafer)的制造过程可分哪几个工艺过程 (module)?
答:主要有四个部分: DIFF (扩散)、TF( 薄膜 )、PHOTO (光刻)、ETCH
(刻蚀)。其中 DIFF 又包括 FURNACE( 炉管 )、WET( 湿刻 )、IMP( 离子注入 )、RTP( 快速热处理 )。TF 包括 PVD( 物理气相淀积 )、 CVD( 化学气相淀积 ) 、 CMP( 化学机械研磨 )。硅片的制造就是依据客户的要求,不断的在不同工艺过程( module)间重复进行的生产过程,最后再利用电性的测试,确保产品良好。
一般硅片的制造常以几 P 几 M 及光罩层数 (mask layer)来代表硅片工艺的时间长短,请问几 P 几 M 及光罩层数 (mask layer)代表什幺意义?
答:几 P 几 M 代表硅片的制造有几层的 Poly(多晶硅 )和几层的 metal(金属
导线 ). 一般 0.15um 的逻辑产品为 1P6M( 1 层的 Poly 和 6 层的 metal)。而
光罩层数( mask layer)代表硅片的制造必需经过几次的 PHOTO(光刻).
Wafer 下线的第一道步骤是形成 start oxide 和 zero layer? 其中 start oxide
10.
的目的是为何?
答:①不希望有机成分的光刻胶直接碰触 Si 表面。
②在 laser 刻号过程中 ,亦可避免被产生的粉尘污染。
为何需要 zero layer?
答:芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的 , 各层次之间以 zero layer 当做对准的基准。
Laser mark 是什幺用途 ? Wafer ID 又代表什幺意义 ?
答: Laser mark 是用来刻 wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的身份证一样 ,
一个 ID 代表一片硅片的身份。
一般硅片的制造 (wafer process)过程包含哪些主要部分?答:①前段( frontend )- 元器件 (device) 的制造过程。
②后段( backend)- 金属导线的连接及护层( passivation )
前段( frontend)的工艺大致可区分为那些部份 ? 答:① STI 的形成 (定义 AA 区域及器件间的隔离 )
②阱区离子注入( well implant)用以调整电性③栅极 (poly gate)的形成
④源 /漏极( sou
文档评论(0)