机械、自动化和电类专业课电工学课件第15章.ppt

本章要求： 放大的概念: 15.1 基本放大电路的组成 15.1 基本放大电路的组成 15.1 基本放大电路的组成 15.1 基本放大电路的组成 15.1.3 共射放大电路的电压放大作用 结论： 15.1.3. 共射放大电路的电压放大作用 结论： 结论： 1. 实现放大的条件 2. 直流通路和交流通路 15.2 放大电路的静态分析 15.2.1 用估算法确定静态值 15.2.2 用图解法确定静态值 15.2.2 用图解法确定静态值 15.3 放大电路的动态分析 15.3.1 微变等效电路法 15.3.1 微变等效电路法 2. 图解分析 3. 非线性失真 3. 非线性失真 15.4 静态工作点的稳定 15.4.1 温度变化对静态工作点的影响 15.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 2. 静态工作点的计算 3. 动态分析 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 15.5 放大电路的频率特性 15.6 射极输出器 共集电极放大电路(射极输出器)的特点： 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 15.7 多级放大电路及其级间耦合方式 2.阻容耦合放大电路 例1: 解: 15.8 差分放大电路 直接耦合电路的特殊问题 15. 8. 1 差分放大电路的工作原理 1. 零点漂移的抑制 2. 信号输入 2. 信号输入 15. 8. 2 典型差分放大电路 恒流源式差放电路 差放电路的几种接法 15.9 互补对称功率放大电路 15.9.1 对功率放大电路的基本要求 15.9.2 互补对称放大电路 1. OTL电路 15.10 场效应管及其放大电路 15.10.1 绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 15.10.3 场效应管放大电路 15.10.3 场效应管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 (2) 动态分析 15.9.3 集成功率放大器 相位补偿, 消除 自激振荡, 改善 高频负载特性。 去耦，滤掉 高频交流 消振，防止高频自激 集成功放LM386接线图 特点: 工作可靠、使用方便。只需在器件外部适当连线，即可向负载提供一定的功率。 。 + + ∞ . 3 2 ui 。 。 + _ + + 4 7 5 8 + +UCC LM386 + uo + _ R1 R2 C4 R3 C3 C2 C1 C5 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 结型场效应管 按结构不同场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管 本节仅介绍绝缘栅型场效应管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 (1) N沟道增强型管的结构 1. 增强型绝缘栅场效应管 漏极 金属电极 栅极 源极 高掺杂N区 D G S SIO2绝缘层 P型硅衬底 N+ N+ G S D 符号： 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 漏极 金属电极 栅极 源极 高掺杂N区 D G S SIO2绝缘层 P型硅衬底 N+ N+ (2) N沟道增强型管的工作原理 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 S D P型硅衬底 N+ N+ D S + G EG - UGS 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；当UGS UGS（th）时，还在表面形成一个N型层，称反型层，即勾通源区和漏区的N型导电沟道，将D-S连接起来。 UGS愈高， 导电沟道 愈宽。 (2) N沟道增强型管的工作原理 P型硅衬底 N沟道 N+ N+ D G S - - - - 耗尽层 EG + - UGS N型沟道增强型绝缘栅场效 应管的导通 P型硅衬底 N+ EG S – G + N+ D N沟道 – + ED ID 当UGS ? UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产