模电技术基础C试卷-武理.pdf

武汉理工大学 武汉理工大学 武武汉汉理理工工大大学学考试试题 （ 卷） 课程名称 模拟电子技术基础C 专业班级 计算机 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 题分 20 20 16 6 12 10 6 10 备注：学生不得在试题纸上答题（含填空题、选择题等客观题） 一.填空题：（每空1分，共20分） 1.在N型半导体中，多数载流子为（ ），少数载流子为（ ）. N型半导体主要 靠（ ）导电。 2.当PN结正向偏置时使空间电荷区（ ），加剧了多数载流子的（ ）运动，形成 正向电流，此时PN结处于（ ）状态。 3.根据结构上的不同，场效应管可以分成（ ）和（ ）两大类型，他们的导电 过程仅仅取决于（ ）的运动。 4. 场效应管属于（ ）控制型器件，而晶体三极管则认为是（ ）控制型器件。 5.温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将（ ），输出特性曲线将（ ），而 且输出特性曲线之间的间隔将（ ）。 6.对于由晶体管组成的共射极、共集电极和共基极三种基本放大电路，若希望电压放大倍数 大，可选用（ ）和（ ）组态电路；若希望带负载能力强，应选用（ ） 组态电路。 7.电流源电路的特点是输出电流（ ），直流等效电阻（ ），交流等效电阻（ ）。 二.选择填空题（每空1分，共20分） 1.只含五价元素杂质的半导体是（ ）。 ① P型半导体；② N型半导体；③ 本征型半导体 2.晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（ ）。 ① i ；② u ；③ i ：④ i c CE B E 3.如果晶体管的基极——发射极短路，则（ ）。 ① 管子深饱和；② 发射结反偏；③ 管子截止；④ 发射结正偏；⑤ 集电结烧坏 4.人们说晶体管具有放大电流的能力，这是指它在电路中采用（ ）和（ ）。 ① 共发射极接法时；② 共基极接法时；③ 共集点极接法时；④ 任何接法时 5.在BJT基本放大电路中，基极电阻Rb的作用是（ ）和 （ ）。 ① 放大电流：② 调节偏流IBQ；③ 把放大了的电流转换成电压： ④ 防止输入信号交流短路 6.检查放大电路中的BJT在静态时是否进入截止区，最简单可靠的是测量（ ）。 ① I ；② U ；③ I ：④ U BQ BE CQ CEQ 7.当输入电压为正弦信号时，如果NPN管共发射极单级放大电路发生截止失真，则输出电压 的波形将（ ）。 ① 削顶；② 削低；③ 削双峰；④ 不削波 8.已知某BJT组成的基本放大电路原来不存在削波失真，但在增大Rc以后，失真出现了， 这个失真必定是（ ）。 ① 饱和失真；② 截止失真；③ 双重失真 9.当输入电压一定时，设BJT基本放大电路空载输出电压幅度为UO1，有载输出电压幅度为 UO2，二则相比，（ ）。 ① U ≺U ；② U =U ；③ U ≻U ：④ 说不定那个大 O1 O2 O1 O2