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20XX ? Knowledge Points 知识点汇编 第一章 半导体二极管 1.本征半导体 单质半导体资料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。 导电才能介于导体和绝缘体之间。 特性：光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体：纯洁的、具有完好晶体结构的半导体。在必定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激起（又称热激起），发生两种带电性质相反的载流子（空穴和自在电子对），温度越高，本征激起越强。 空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。空穴导电的实质是价电子顺次添补本征晶体中空位，使部分显现+q电荷的空位微观定向运动。 在必定的温度下，自在电子和空穴在热运动中相遇，使一对自在电子和空穴消失的现象称为复合。当热激起和复合持平时，称为载流子处于动态平衡状况。2．杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质构成的半导体。表现的是半导体的掺杂特性。 P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。 N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。 杂质半导体的特性 载流子的浓度：多子浓度决议于杂质浓度，简直与温度无关；少子浓度是温度的灵敏函数。 体电阻：一般把杂质半导体本身的电阻称为体电阻。 在半导体中，存在因电场作用发生的载流子漂移电流（与金属导电一起），还才能在因载流子浓度差而发生的分散电流。 3.PN结 在具有完好晶格的P型和N型半导体的物理界面邻近，构成一个特别的薄层（PN结）。 PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻挠结外两区的多子的分散，有利于少子的漂移。 PN结具有单导游电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器材的中心元件。 正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅资料约为0.6-0.8V，锗资料约为0.2-0.3V。 反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只要很小的反向饱满电流Is。 PN结的伏安（曲线）方程： 4.半导体二极管 一般的二极管内芯片便是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。 单导游电性：正导游通，反向截止。 正导游通压降：硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 剖析办法：将二极管断开，剖析二极管两头电位的凹凸: 若 V阳 V阴(正偏)，二极管导通(短路); 若 V阳 V阴(反偏)，二极管截止(开路)。 办法1：图解剖析法 该式与伏安特性曲线的交点叫静态作业点Q。  办法2：等效电路法 直流等效电路法（低频大信号模型） 微变等效电路法（低频小信号模型） 沟通动态电阻： 5.稳压二极管 二极管反偏电压增大到必定值时，反向电流忽然增大的现象称为反向击穿。 反向击穿的首要原因是有价电子磕碰电离而发生的“雪崩击穿”。 稳压二极管的特性：常作业时处在PN结的反向击穿区。 稳压管的参数：安稳电压、安稳电流、额外功耗、动态电阻、温度系数。 稳压管的使用：限幅电路，稳压电路。 第二章 晶体三极管及根本扩大电路 4.1晶体三极管 1.三极管的结构、类型及特色 类型：分为NPN和PNP两种。 构成两个结：发射结和集电结；三个区域：发射区、集电区和基区。 结构特色： 基区很薄，且掺杂浓度最低； 发射区掺杂浓度很高，与基区触摸面积较小； 集电区结面积大，掺杂浓度较高。 2.三极管的作业原理 电流操控性器材，具有电流扩大作用 电流扩大的外部条件： 发射结正向偏置，集电结反向偏置。。 所谓的扩大：实质上是一种能量操控作用，经过晶体管这种有源元件对直流电源的能量进行操控，使负载从电源中取得的输出信号的能量比信号源向扩大电路供给的能量大的多。扩大的特征是功率扩大。 3.晶体管的三个作业区 扩大区，饱满区，截止区 判别晶体管处于哪一个作业区的办法。 扩大区的电流分配关系。 温度对晶体管特性及参数的影响： 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高ICBO、 ICEO 、 IC以及β均添加。 晶体管的首要参数 电流扩大倍数：沟通和直流 极限参数：最大集电极耗散功率、最大集电极电流、极间反向击穿电压 4.2 扩大电路的组成准则 晶体管扩大电路的准则 保证适宜的作业点（处于扩大区）； 保证被扩大的沟通输入信号能够作用于晶体管的输入回路； 保证扩大后的沟通输出信号能传送到负载上去。 了解静态作业点的必要性！ 三极管的三种根本组态4.3 扩大电路的根本剖析办法 共射极电路的剖析办法 了解个元件的作用； 直流通路与静态剖析： 直流通路：电容视为开路； 图解法与解析法 ， ， 电路参数对静态作业点的影响； 直流负载线：由VCC=ICRC+UCE 确认的直线。 改动Rb ：Q点将沿直流负载线上下移动。 改动Rc ：Q点在IBQ地点的那条输出特性曲线上移动。 改动VCC：直流负载线平移，Q点