集成电路制造工艺员集成电路制造工艺员（三级）试卷（集成电路制造工艺员）.doc

试卷第 PAGE 2 页共 NUMPAGES 2 页 集成电路制造工艺员集成电路制造工艺员（三级）试卷（集成电路制造工艺员） 姓名:_____________ 年级:____________ 学号:______________ 题型 选择题 填空题 解答题 判断题 计算题 附加题 总分 得分 评卷人 得分 1、人类的职业道德真正形成于（ ）。 A.原始社会 B.奴隶社会 C.封建社会 资本主义社会2、奉献社会的实质是（ ）。 A.获得社会的好评 B.尽社会义务 C.不要回报的付出 为人民服务3、企业的战略一般由四个要素组成，即经营范围、资源配置、竞争优势以及协同合作，其中协同合作是指企业通过共同的努力达到（ ）。 A.分力之和大于简单相加的结果 B.分力之和等于简单相加 C.共享开发工具、共享信息 共同分担着开发失败的风险4、point defect的意思是（ ）。 A.点缺陷 B.线缺陷 C.面缺陷 缺失的点5、dry vacuum pump的意思是（ ）。 A.扩散泵 B.谁循环泵 C.干式真空泵 路兹泵6、thermal conductivity gauge的意思是（ ）。 A.离子计 B.热传导真空计 C.放电型真空l C.可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的 以上都不对10、下列物质中是结晶形态二氧化硅的有（ ）。 A.硅土 B.石英 C.磷石英 玻璃E.水晶 11、采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（ ）的。 A.结晶形态 B.非结晶形态 C.可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的 以上都不对12、二氧化硅薄膜的折射率是表征其（ ）学性质的重要参数。 A.电 B.磁 C.光 热13、下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（ ）。 A.干氧氧化 B.湿氧氧化 C.水汽氧化 与氧化方法无关14、干氧氧化中，氧化炉内的气体压力应（ ）一个大气压。 A.稍高于 B.大大于 C.等于 没有要求15、干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（ ）。 A.生长出的二氧化硅中引入很多可动离子 B.氧化的速度慢 C.生长的二氧化硅缺陷多 生长的二氧化硅薄膜钝化效果差16、干氧氧化法具备以下一系列的优点（ ）。 A.生长的二氧化硅薄膜均匀性好 B.生长的二氧化硅干燥 C.生长的二氧化硅结构致密 生长的二氧化硅是很理想的钝化膜E.生长的二氧化硅掩蔽能力强 17、当二氧化硅膜很薄时，膜厚与时间（ ）。 A.t2成正比 B.t2成反比 C.t成正比 t成反比18、当热氧化的最初阶段，（ ）为限制反应速率的主要原因。 A.温度 B.硅-二氧化硅界面处的化学反应 C.氧的扩散速率 压力19、（ ）的方法有利于减少热预算。 A.高压氧化 B.湿氧氧化 C.掺氯氧化 氢氧合成氧化E.等离子增强氧化 20、表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度，习惯上常用（ ）。 A.分凝度 B.固溶度 C.分凝系数 扩散系数21、二氧化硅生长过程中，当分凝系数小于1时，会使二氧化硅-硅界面处硅一侧的杂质浓度（ ）。 A.降低 B.增加 C.不变 先降低后增加22、硅-二氧化硅系统中含有的最主要而对器件稳定性影响最大的离子是（ ）。 A.钠 B.钾 C.氢 硼23、钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是（ ）杂质。 A.替位式 B.间隙式 C.施主 可能是替位式也可能是间隙式24、二氧化硅层中的钠离子可能来源于（ ）。 A.玻璃器皿 B.高温器材 C.人体沾污 化学试剂E.去离子水 25、解决氧化层中的钠离子沾污的方法有（ ）。 A.加强工艺操作 B.加强人体和环境卫生 C.使用高纯化学试剂、高纯水和超净设备 采用HCl氧化工艺E.硅片清洗后，要充分烘干，表面无水迹 26、二氧化硅膜的质量要求有（ ）。 A.薄膜表面无斑点 B.薄膜中的带电离子含量符合要求 C.薄膜表面无针