集成电路封装--DFN QFN切割加工案例.doc

深圳西斯特科技有限公司 公众号：磨削系统解方案 System Technology (Shenzhen) Co., Ltd Grinding System Solution TEL: 400-6362-118 WEB: 集成电路封装--DFN/QFN成品切割案例 半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装流程为经过前道工序的晶圆通过划片得到适合封装尺寸的芯片，再将芯片通过胶水固定在PCB板上，用金线进行WB工艺，得到所要求的电路，最后通过树脂等对芯片加以封装保护。封装划片是半导体制作工艺流程中一道必不可少的工序，在封装制作中属于后段工序。本文将分享深圳西斯特生产的树脂软刀，在加工DFN和QFN成品上的实际案例。 测试项目信息 测试环境 10000级无尘车间 测试项目 DFN/ QFN树脂软刀切割验证测试 测试目的 验证西斯特树脂软刀品质及寿命 刀片规格 58*0.3*40 / 58*0.33*40 / 78*0.3*40 测试设备 Disco 3350 /和研 DS9100 使用工具/耗材 DFN/QFN材料/显微镜/UV膜/镊子 加工要求 产品信息 品质要求 加工工艺 产品类型 DFN/QFN 正面崩边 30um 切割模式 Dual(单切) 产品材质 铜+环氧树脂 背面崩边 30um 主轴转速 18-22k/rpm 产品规格 258*70mm 侧边崩边 30um 进给速度 50-150mm/s 切割尺寸 QFN-4*4 毛刺高度 50um 刀片高度 0.1mm 产品厚度 0.5-0.75mm R角尺寸 70um 冷却水温度 13±2℃ 加工QFN，工艺参数信息 设备型号 Disco 3350 刀片型号 58*0.3*40 工件尺寸 258*75 单颗尺寸 QFN4*4-5*5 主轴转速 22000 工件厚度 0.5-0.75mm 划片速度 50-150mm/s UV膜厚度 0.15mm 刀片厚度 0.1mm 切割水流量 1.2-1.5L/m 冷却水温度 13±2℃ 刀片寿命 1500米 QFN正面效果QFN正面效果西斯特软刀加工QFN工艺参数信息 QFN正面效果 QFN正面效果 1 设备型号 Disco 3350 2 刀片型号 58*0.3*40 3 工件尺寸 258*75 4 单颗尺寸 QFN4*4-5*5 6 主轴转速 22000 7 工件厚度 0.5-0.75mm 8 划片速度 QFN测量数值QFN金属毛刺50-150mm/s QFN测量数值 QFN金属毛刺 9 UV膜厚度 0.15mm 10 刀片厚度 0.1mm 12 切割水流量 1.2-1.5L/m 11 冷却水温度 13±2℃ 12 刀片寿命 1500米 切割根部R角，效果对比 西斯特刀片R角切割效果 竞品刀片R角切割效果 加工DFN，金属毛刺比较 西斯特刀片金属毛刺切割数据 竞品刀片金属毛刺切割数据 结论：在同等寿命下，西斯特比竞品刀片在测量品质数据毛刺尺寸部分改善降低 10~20%，R角部分改善约降低10~40%。经过严谨的DOE评估验证，我司生产的树脂软刀能很好的为客户解决切割制程中品质问题如：产品管脚熔锡、金属毛刺、R角过大、金属卷边等比较难以解决的品质隐患。为客户在制程品质稳定性及生产成本节约产生较好的效果。 深圳西斯特有限公司秉持“让一切磨削加工变的更容易”为宗旨，通过科学精准的刀片生产配方、应用选型及提供整套磨削系统解决方案，给客户提供更好的切割质量和更低的生产成本。 咨询热线：400-6362-118