IC集成技术中的工艺模块教材.pptx

§10.3 集成电路中的隔离;IC集成技术中的工艺模块;IC集成中的器件形成与互连;IC集成中的器件隔离;2021/5/31;双极IC中的器件隔离;PN结隔离的双极晶体管 ;SBC结构 vs. CDI结构 vs. 3D结构 ;2021/5/31;2021/5/31;2021/5/31;2021/5/31;集电极引线从表面引出，如没有埋层，从集电极到发射极的电流必须从高阻的外延层流过，这相当于在体内引入了一个大的串联电阻，导致饱和压降增大。;2021/5/31;2021/5/31;2021/5/31;PN结隔离 vs. 深槽隔离;2021/5/31;2021/5/31;2021/5/31;2021/5/31;2021/5/31;2021/5/31;2021/5/31;工艺流程;工艺流程（续1）;工艺流程（续2）;工艺流程（续3）;工艺流程（续4）;工艺流程（续5）;工艺流程（续6）;埋层区;2021/5/31;MOS 器件的自隔离 /1;MOS 器件的自隔离 /2;MOS IC中器件隔离的作用 /1;MOS IC中器件隔离的作用 /2;制备厚氧化层的最直接方法;硅的局部氧化(隔离)技术 LOCOS: LOCal Oxidation of Silicon;标准LOCOS工艺主要步骤;2021/5/31;2021/5/31;局部氧化技术(1);局部氧化技术(2);LOCOS存在的主要问题 /1;“鸟嘴” 形成的原因及影响;LOCOS存在的主要问题 /2;LOCOS主要问题的解决措施 /1;PBL－Crab Eyes;LOCOS主要问题的解决措施 /２;侧墙掩蔽隔离技术(SWAMI);2021/5/31; 是刻蚀掉部分衬底形成沟槽(槽刻蚀)，再在其中回填上介电质(回填)作为相邻器件之间的绝缘体的一种器件隔离方法。又分为：浅槽隔离和深槽隔离。;2021/5/31;2021/5/31;Shallow Trench Isolation /1;§10.4 CMOS IC的工艺集成;CMOS 工艺中的基本模块;CMOS IC 中的阱;双阱工艺;Twin Well ;阱注入技术 ;阱注入技术 ―倒掺杂技术;场注入(沟道阻止注入)技术;2021/5/31;栅氧和阈值电压调整;2021/5/31;2021/5/31;2021/5/31;Transistor Making: Metal Gate /1;Transistor Making Metal Gate /2;硅栅工艺;自对准技术;硅栅自对准工艺;Self-aligned Gate;硅栅自对准工艺的优点;自对准技术及其作用;MOS工艺中的自对准结构 /1;自对准源漏工艺;自对准源漏工艺步骤;81;82;83;84;85;86;Self-aligned Twin Well ;轻掺杂漏注入技术LDD(Lightly Doped Drain/Source);LDD Formation /1;LDD Formation /2;2021/5/31;LDD的作用;9、春去春又回，新桃换旧符。在那桃花盛开的地方，在这醉人芬芳的季节，愿你生活像春天一样阳光，心情像桃花一样美丽，日子像桃子一样甜蜜。5月-215月-21Monday, May 31, 2021 10??人的志向通常和他们的能力成正比例。13:52:3513:52:3513:525/31/2021 1:52:35 PM 11、夫学须志也，才须学也，非学无以广才，非志无以成学。5月-2113:52:3513:52May-2131-May-21 12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。13:52:3513:52:3513:52Monday, May 31, 2021 13、志不立，天下无可成之事。5月-215月-2113:52:3513:52:35May 31, 2021 14、Thank you very much for taking me with you on that splendid outing to London. It was the first time that I had seen the Tower or any of the other famous sights. If Id gone alone, I couldnt have seen nearly as much, because I wouldnt have known my way about. 。31 五月 20211:52:35 下午13:52:355月-21 15、会当凌绝顶，一览众山小。五月 211:52 下午5月-2113:52May 31, 2021 16、如果一个人不知道他要驶向哪头，那么任何风都不是顺风。2021/5/31 13:52: