LED制造工艺培训课件.pptx

LED制造工艺;LED生产工艺;; 固体类型;;;pn结的制造 ; 外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 ; 前段工序的第一步是制造半导体晶圆。发光二极管所用的材料决定了发射光的颜色。 （1）用CZ法直拉单晶制造法得到掺有杂质的所选材料的硅锭 直拉单晶制造法（Czochralski，CZ法）是把原料多硅晶块放入石英坩埚中，在单晶炉中加热融化 ，再将一根直径只有10mm的棒状晶种（称籽晶）浸入融液中。在合适的温度下，融液中的硅原子会顺着晶种的硅原子排列结构在固液交界面上形成规则的结晶，成为单晶体。 ; 发光二极管的制造过程大体可分为三个阶段：前段、中段、后段(也称为上游、中游、下游)。 前段工序主要完成晶圆制造和外延生长，中段工序主要包括研磨、蒸镀、光刻、切割等过程，后段工序则是根据不同的需要把LED封装成各种形式。 ;芯片数 ; 然后对硅锭进行整形处理，包括去掉两端、径向研磨、制作定位边或定位槽。 （2）整形处理完成后，硅锭进行切片，晶圆片的厚度大约是0.2—0.3mm左右，接着进行磨片和倒角除去晶圆表面损伤和边缘裂缝。 为了消除晶圆表面损伤，还可以采用化学刻蚀技术去除硅片表面损伤和沾污。 ;（3）清洗，制造完成的晶圆必须经过严格的化学及超声波清洗，这个过程可以去除抛光后晶圆表面可能存在的污垢、尘埃或有机物，晶圆表面洁净程度越高，将来制成的LED的性能才能越好。 ;（4）晶圆(或称衬底材料)制造完成后，进行外延生长。外延就是在衬底上淀积一层薄的单晶层，新淀积的这层称为外延层。 以GaAs为例，根据制程的不同，外延可分为液相外延(LPE)、有机金属气相外延(MOCVD)以及分子束外延(MBE)。LPE的技术层次较低，主要用于一般发光二极管的外延生长，而MBE的技术层次较高，容易生长极薄的外延层，且纯度高、平整性好，但量产能力低，外延生长速度慢。MOCVD除了纯度高、平???性好，量产能力及外延生长速度都比MBE快，因此现在大都以MOCVD生产。 ; 外延的具体过程是:首先将GaAs衬底放入有机化学气相沉积炉，通入Ⅲ、Ⅱ族金属元素的烷基化合物(甲基或乙基化合物)蒸气与非金属(Ⅴ、Ⅵ族元素)的氢化物(或烷基物)气体，在高温下，发生热解反应，生成Ⅲ-Ⅴ或Ⅱ-Ⅵ族化合物淀积在衬底上，生长出一层厚度仅几微米的化合物半导体外延层。长有外延层的GaAs片就是常说的外延片。 ; 外延片经过芯片加工后，通电就能发出颜色很纯的单色光，如红色、黄色等。不同的材料、不同的生长条件以及不同的外延层结构都可以改变发光颜色和亮度。 ;;;;LED封装过程;;;;;;;;;;9、春去春又回，新桃换旧符。在那桃花盛开的地方，在这醉人芬芳的季节，愿你生活像春天一样阳光，心情像桃花一样美丽，日子像桃子一样甜蜜。5月-215月-21Monday, May 31, 2021 10、人的志向通常和他们的能力成正比例。13:56:0413:56:0413:565/31/2021 1:56:04 PM 11、夫学须志也，才须学也，非学无以广才，非志无以成学。5月-2113:56:0413:56May-2131-May-21 12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。13:56:0413:56:0413:56Monday, May 31, 2021 13、志不立，天下无可成之事。5月-215月-2113:56:0413:56:04May 31, 2021 14、Thank you very much for taking me with you on that splendid outing to London. It was the first time that I had seen the Tower or any of the other famous sights. If Id gone alone, I couldnt have seen nearly as much, because I wouldnt have known my way about. 。31 五月 20211:56:04 下午13:56:045月-21 15、会当凌绝顶，一览众山小。五月 211:56 下午5月-2113:56May 31, 2021 16、如果一个人不知道他要驶向哪头，那么任何风都不是顺风