关于模电知识总结.doc

精品 Word 可修改 欢迎下载 必威体育精装版 精品 Word 欢迎下载 可修改 精品 Word 可修改 欢迎下载 第一部分 半导体的基本知识 二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。 导体导电和本征半导体导电的区别： 导体导电只有一种载流子：自由电子导电 半导体导电有两种载流子：自由电子和空穴均参与导电 自由电子和空穴成对出现，数目相等，所带电荷极性不同，故运动方向相反。 本征半导体的导电性很差，但与环境温度密切相关。 杂质半导体 （1）N型半导体——掺入五价元素 （2）P型半导体——掺入三价元素 PN结——P型半导体和N型半导体的交界面 反向电压超过一定值时，就会反向击穿，称之为反向击穿电压在交界面处两种载流子的浓度差很大；空间电荷区又称为耗尽层 反向电压超过一定值时，就会反向击穿，称之为反向击穿电压 在交界面处两种载流子的浓度差很大；空间电荷区又称为耗尽层 PN结的单向导电性——外加电压 正向偏置 反向偏置 二极管的结构、特性及主要参数 （1）P区引出的电极——阳极；N区引出的电极——阴极 温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。二极管的特性对温度很敏感。 温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。二极管的特性对温度很敏感。 其中，Is为反向电流，Uon为开启电压，硅的开启电压——0.5V，导通电压为0.6~0.8V，反向饱和电流0.1μA，锗的开启电压——0.1V，导通电压为0.1~0.3V，反向饱和电流几十μA。 （2）主要参数 1）最大整流电流I：最大正向平均电流 2）最高反向工作电流U：允许外加的最大反向电流，通常为击穿电压U的一半 3）反向电流I：二极管未击穿时的反向电流，其值越小，二极管的单向导电性越好，对温度越敏感 4）最高工作频率f：二极管工作的上限频率，超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管 在反向击穿时在一定的电流范围内（或在一定的功率耗损范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，广泛应用于稳压电源和限幅电路中。 稳压管的伏安特性 （2）主要参数 1）稳定电压U：规定电流下稳压管的反向击穿电压 2）稳定电流I：稳压管工作在稳定状态时的参考电流。电流低于此值时稳压效果变坏，甚至根本不稳压，只要不超过稳压管的额定功率，电流越大稳压效果越好。 【附加】限流电阻：由于稳压管的反向电流小于I时不稳定，大于最大稳定电流时会因超过额定功率而烧坏，故要串联一个限流电阻保证稳压管正常工作。 3）额定功率P：等于稳定电压U与最大稳定电流I的乘积。超过此值时稳压管会因为结温度过高而损坏。 4）动态电阻r：在稳压区，端电压变化量与电流变化量之比。r越小，说明电流变化时稳定电压的变化越小，稳压特性越好。 5）温度系数α：表示电流不变时，温度每变化1℃稳压值的变化量，即α=△U/△T。 U4V时，α为负值，即温度升高时稳定电压值下降； U7V时，α为正值，即温度升高时稳定电压值上升； 4U7V时，α很小，近似为零，性能稳定。 双极型晶体管——晶体三极管——半导体三极管——晶体管的结构、特性及主要参数 主要以NPN型硅管为例讲解放大作用、特性曲线和主要参数放大是对模拟信号最基本的处理。晶体管是放大电路的核心元件，它能控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真地放大输出， 主要以NPN型硅管为例讲解放大作用、特性 曲线和主要参数 放大是对模拟信号最基本的处理。晶体管是放大电路的核心元件，它能控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真地放大输出，放大的对象是变化量。 Ie：发射区杂质浓度高，基区杂质浓度低，大量自由电子越过发射结到达基区。Ib：基区很薄，杂质浓度低Ic：集电结外加反向电压且结面积较大，基区的非平衡少子越过集电结到达集电区，形成漂移电流。可见，在Vcc的作用下，漂移运动形成集电极电流Ic。 Ie：发射区杂质浓度高，基区杂质浓度低，大量自由电子越过发射结到达基区。 Ib：基区很薄，杂质浓度低 Ic：集电结外加反向电压且结面积较大，基区的非平衡少子越过集电结到达