MEMS工艺(4体硅微加工技术)梁庭.pptx

MEMS工艺——硅微加工工艺（腐蚀）;内容;腐蚀工艺简介;大部分的微加工工艺基于“Top-Down”的加工思想。 “Top-Down”加工思想：通过去掉多余材料的方法，实现结构的加工。（雕刻——泥人）;;图形工艺 掩模图形生成 台阶结构生成 衬底去除 牺牲层去除 清洁表面 ;湿法腐蚀;湿法腐蚀——方向性;各向异性腐蚀和各向同性腐蚀;;硅的各向异性腐蚀;硅的各向异性腐蚀技术;湿法腐蚀的化学物理机制;湿法腐蚀的化学物理机制;硅腐蚀机理（P62） ;;;;各向异性腐蚀的特点： 腐蚀速率比各项同性腐蚀???，速率仅能达到1um/min 腐蚀速率受温度影响 在腐蚀过程中需要将温度升高到100℃左右，从而影响到许多光刻胶的使用;各向异性腐蚀液;1.KOH system;1.KOH system;KOH的刻蚀机理;2.EDP system;2.EDP system;EDP腐蚀条件;3、N2H4 （联氨、无水肼）;4、TMAH ;腐蚀设备;硅和硅氧化物典型的腐蚀速率 ;影响腐蚀质量因素;?111?面凹角停止;?110?方向硅片的腐蚀特点 ;(1) 溶液及配比 ;(2) 温度;各向同性腐蚀;优点： 无尖角， 较低应力 刻蚀速度快 可用光刻胶掩膜;Etching Bulk Silicon ;车轮法来测量平面上不同晶向的腐蚀速率（有局限性） 更准确的反映腐蚀各向异性的是球形法（正相或负相）;;三、自停止腐蚀技术;（1） 重掺杂自停止腐蚀(KOH和EDP：5?1013/cm3) （2）(111)面停止 （3） 时间控制 （4）P-N结自停止腐蚀 （5）电化学自停止腐蚀;自停止腐蚀典型工艺流程;1、薄膜自停止腐蚀;2 、重掺杂自停止腐蚀技术;高掺杂硼有两个缺点： 与标准的CMOS工艺不兼容 导致高应力，使得材料易碎或弯曲 重掺杂硼的硅腐蚀自停止效应比重掺杂磷的硅明显，所以工艺中常采用硼重掺杂硅作为硅腐蚀的自停止材料。;重掺杂自停止腐蚀工艺流程;3、（111）面自停止腐蚀;（111）面自停止腐蚀工艺流程;4、电化学自停止腐蚀;5、 P－N 结自停止腐蚀;腐蚀保护技术;薄膜残余应力问题;凸角腐蚀补偿;凸角腐蚀补偿;目前比较常见的补偿方式;（100）面双方块凸角腐蚀补偿;（100）面双方块凸角腐蚀补偿;（100）面双方块凸角腐蚀补偿;9、春去春又回，新桃换旧符。在那桃花盛开的地方，在这醉人芬芳的季节，愿你生活像春天一样阳光，心情像桃花一样美丽，日子像桃子一样甜蜜。10月-2010月-20Saturday, October 31, 2020 10、人的志向通常和他们的能力成正比例。09:55:5109:55:5109:5510/31/2020 9:55:51 AM 11、夫学须志也，才须学也，非学无以广才，非志无以成学。10月-2009:55:5109:55Oct-2031-Oct-20 12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。09:55:5109:55:5109:55Saturday, October 31, 2020 13、志不立，天下无可成之事。10月-2010月-2009:55:5109:55:51October 31, 2020 14、Thank you very much for taking me with you on that splendid outing to London. It was the first time that I had seen the Tower or any of the other famous sights. If Id gone alone, I couldnt have seen nearly as much, because I wouldnt have known my way about. 。31 十月 20209:55:51 上午09:55:5110月-20 15、会当凌绝顶，一览众山小。十月 209:55 上午10月-2009:55October 31, 2020 16、如果一个人不知道他要驶向哪头，那么任何风都不是顺风。2020/10/31 9:55:5109:55:5131 October 2020 17、一个人如果不到最高峰，他就没有片刻的安宁，他也就不会感到生命的恬静和光荣。9:55:51 上午9:55 上午09:55:5110月-20