稳压二极管通电子.docxVIP

1.稳压二极管通常工作在()状态下，能够稳定电压。A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿2.PN结加反向偏置时，空间电荷区（)A.变宽 B.变窄 C.不变 D.不确定3.二极管的导通条件是()A.Ud0 B.Ud死区电压 C.Ud击穿电压4.硅二极管的正向电压在0.7V的基础上增加10%，它的电流()。A.基本不变 B.增加10% C.增加10%以上5.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该晶体管的类型为()。A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.诸PNP型 D.诸NPN型 6.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、2.3V和2V，则该晶体管的类型为()。A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.诸PNP型 D.诸NPN型7.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和12V，则该晶体管的类型为（?）。A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型8.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.7V和-6V，则该晶体管的类型为（?）。A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型9.用直流电压表测得晶体管电极1、2、3的电位分别为V1=1V，V2=1.3V，V3=-5V，则三个电极为（?）。A.1为e；2为b；3为c B.1为e；2为c；3为bC.1为b；2为e；3为c D.1为b；2为c；3为e10.用直流电压表测得晶体管电极1、2、3的电位分别为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则三个电极为（?）。A.1为e；2为b；3为c B.1为e；2为c；3为bC.1为b；2为e；3为c D.1为b；2为c；3为e11.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（?），?少数载流子的浓度则与（?）有很大关系。(1)?掺杂浓度 (2)?温度12.N型半导体又称为（?）半导体，其多数载流子是（），?少数载流子是（）。(1)?电子 (2)?自由电子 (3)?空穴13.二极管导通时，在电路中表现为（）电阻。低PN结加正向电压时（），加反向电压时（），这种特性称为PN结的（）特性。(1)?导通 (2)?截止 (3)?单向导电性15.PN结正向偏置时P区的电位（）N区的电位。高于16.二极管正向导通的最小电压称为（）电压，使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为（）电压.(1)?死区 2反向击穿17.二极管最主要的特性是（），使用时应考虑的两个主要参数是（）和（）?。(1)?单向导电性 (2)?最大整流电流 (3)?最大反向工作电压18.在常温下，硅二极管的死区电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V?。(1)?0.5(2)?0.719.稳压管工作在伏安特性的（）区，在该区内的反向电流有较大变化，但它两端的电压（）。(1)?反向击穿(2)?基本不变20.发光二级管工作在伏安特性的（）区。正向导通区21.晶体管可以分成（）和（）两种类型。(1)?PNP(2)?NPN22.当晶体管工作在（）区时，IC?≈βIB，条件是发射极（）偏置，集电极（）偏置。(1)?放大 (2)?正向 (3)?反向23.当晶体管工作在（）区时，IC≈0；条件是发射极（）?偏置或发射结电压（）死区电压，集电极（）偏置。(1)?截止(2)?反向(3)?小于(4)?反向24.当晶体管工作在（）区时，?UCE?≈0，条件是发射极（）偏置，集电极（）偏置。(1)?饱和(2)?正向(3)?正向25.当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以（）极的电位最高，（）极电位最低，（）极和（）极电位差约等于（）。(1)?集电极(2)?发射极(3)?基极(4)?发射(5)?0.726.当PNP锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以（）极的电位最高，（）极电位最低，UBE约等于（）。(1)?发射(2)?集电 (3)?-0.327.晶体管放大电路中?三个电极的电位分别为V1=-4V?,V2=-1.2V?,V3=-1.5V?,则晶体管的类型是?（），材料是（）；则电极1为（）极，电极2为（）极，电极3为（）极。(1)?PNP(2)?锗(3)?集电(4)?发射(5)?基28.在二极管的反向截至区，反向电流随反向电压增大而增大。（?）错29.晶体管由两个PN结构成，二极管包含有一