电子技术基础 习题答案（主编张彦丽）.doc

Java精品教程 Java精品教程 第1章 认识Java 第1章 认识Java PAGE 18 PAGE 18 PAGE 17 PAGE 17 项目一 一、填空题 1．导体 绝缘体 半导体 热敏性 光敏性 掺杂性 2．本征半导体 杂质半导体 N型半导体 P型半导体 3．导通 截止 4．最大反向工作电压URM 6．反向击穿 反向击穿 二、选择题 BCABAB 三、解答题 1．在P型半导体和N型半导体交界处，由于P型半导体中的空穴多于电子，N型半导体中的电子多于空穴，所以，在交界面附近将产生多数载流子的扩散运动。P区的空穴向N区扩散，与N区的电子复合；N区的电子向P区扩散，与N区的空穴复合。 由于这种扩散运动，N区失掉电子产生正离子，P区得到电子产生负离子，结果在界面两侧形成了由等量正、负离子组成的空间电荷区。在这个区域内，由于多数载流子已扩散到对方并复合掉，好像耗尽了一样，因此，空间电荷区又称为耗尽层。 由于空间电荷区的形成，建立了由N区指向P区的内电场。显然，内电场对多数载流子的扩散运动起阻碍作用，故空间电荷区也称为阻挡层。 同时，内电场有助于少数载流子的漂移运动，因此，在内电场作用下，N区的空穴向P区漂移，P区的电子向N区漂移，其结果是使空间电荷区变窄，内电场削弱。显然，扩散运动与漂移运动是对立的，当二者的运动达到动态平衡时，空间电荷区的宽度便基本稳定下来。这种宽度稳定的空间电荷区称为PN结。 2．当二极管所加的正向电压较小时，二极管呈现较大的电阻，正向电流很小，几乎为零。与这一部分相对应的电压称为死区电压或阈值电压。 3．左图为0 V，二极管处于截止状态。右图VD2截止，VD1导通，两电源并联，电压比原电源略小。 4．u1＝0，u2＝0时，VD1、VD2管均截止，uo＝0。 u1＝0，u2＝U2时，VD1管截止，VD2管导通，uo＝U2。 u1＝U1，u2＝U2时，因U1＞U2，所以，VD1管导通，VD2管截止，uo＝U1。 输出波形如图1-1所示。 图1-1 题4答案 5． 因IZ＜IZM，所以，限流电阻值合适。 6．三极管具有的电流放大作用是由三极管的内部结构条件与外部条件共同决定的。 （1）内部结构条件 ① 发射区很小，但掺杂浓度高。 ② 基区最薄且掺杂浓度最小（比发射区小2～3个数量级）。 ③ 集电结面积最大，且集电区的掺杂浓度小于发射区的掺杂浓度。 （2）外部条件 外部条件是要保证外加电源的极性使发射结处于正向偏置状态，使集电结处于反向偏置状态。 7．确定硅管或锗管与集电极。处于放大状态的硅管的发射结电压UBE＝0.6～0.7V，锗管为UBE＝0.2～0.3V。通过验证两极之间是否满足上述关系，即可确定是硅管还是锗管，且该两管脚为发射极或基极，另外一管脚为集电极。 确定NPN型或PNP型管。处于放大状态的NPN型管，存在UC＞UB＞UE；处于放大状态的PNP型管，存在UC＜UB＜UE。据此可判断是NPN型或PNP型管。 区分发射极和基极。处于放大状态的NPN型管，UBE＞0；处于放大状态的PNP型管，UBE＜0。据此可判断发射极和基极。 通过分析可以判断： （1）为PNP型锗管，U1、U2、U3所对应的管脚分别为基极、发射极、集电极。 （2）为NPN型硅管，U1、U2、U3所对应的管脚分别为集电极、基极、发射极。 8．判断发射结是否正常偏置。处于放大或饱和状态的NPN型硅管有UBE＝0.6～0.7V，锗管有UBE＝0.2～0.3V；处于放大或饱和状态的PNP型硅管有UBE＝－（0.6～0.7）V，锗管有UBE＝－（0.2～0.3）V。 判断处于放大状态或饱和状态。在判断发射结是否正常偏置的基础上，处于放大状态的NPN型管有UC＞UB，处于放大状态的PNP型管有UC＜UB；处于饱和状态的三极管UCE较小，且NPN型管UCE＞0，UCB＜0，PNP型管UCE＜0，UCB＞0。 判断管子的好坏。若UBE过大或过小，或NPN型管UC＜UE、PNP型管UC＞UE，则管子可能损坏。 通过分析可以判断： （1）、（6）处于放大状态；（2）、（3）处于饱和状态；（4）、（8）处于截止状态；（5）损坏（B与E极开路）；（7）损坏（B与E极击穿或短路）。 项目二 一、填空题 1．三极管 2．电容 电感 信号源 耦合电容 直流电源 3．静态工作点 4．非线性失真 5．输入电阻 输出电阻 6．输入级 输出级 中间级 7．直接耦合 阻容耦合 变压器耦合 8．零点漂移 静态工作点相互影响 差动放大电路 二、选择题 CCACB 三、解答题 1．（1） （2）当RB＝30kΩ时 此时，三极管处于饱和状态。 2． 3．（a）； （b） （c） （d） 4．（a）图中，直流通路能满足三