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第六章 结型场效应晶体管6.1 JEFT的概念6.2器件的特性6.3非理想因素BJTFET电流控制器件电压控制器件双极器件单极器件依靠少子工作,噪声大依靠多子工作,噪声低输入阻抗低输入阻抗高,利于直接耦合,输入功耗小温度稳定性差温度稳定性好,具有零或负的温度系数工艺较复杂,集成度低制造工艺较BJT简单,EMOS有天然的隔离,集成度高6.1.1 pn JFET的基本结构6.2 器件的特性6.2.1 内建夹断电压、夹断电压和漏源饱和电压内建夹断电压：夹断电压：耗尽层宽度：y处电流均匀分布情况6.2.3 MESFET基本结构MESFET工作原理E型MESFET开启电压6.3 非理想因素6.3.1 沟道长度调制效应其中，沟长调制系数6.3.2 速度饱和效应6.3.3 亚阈值电流亚阈值电流主要是扩散电流习题1（a）画出p沟道JFET结构的能带图 （b）定性地讨论I-V特性，包括电流方向以及电压特性2 考虑一个n沟道JFET，它具有以下参数： Na=3?1018cm-3，Nd=8?1016cm-3，a=0.5?m。 （a）计算内建夹断电压 （b）计算未耗尽沟道宽度为0.20 ?m时所需的栅极电压3 N沟道硅MESFET的沟道长度是L=2 ?m。假定沟道中水平电场的均值是E=10kV/cm。计算如下情况时电子在沟道中的传输时间： （a）迁移率为常数?n=1000cm2/V?s （b）速度达到饱和y处电流均匀分布情况6.3 非理想因素6.3.1 沟道长度调制效应其中，沟长调制系数6.3.2 速度饱和效应
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