低频电子线路课件.pptx

电子线路;绪论; 3）在集成运放基本单元电路和主要性能参数的 基础上，强调集成运放的应用。 4）分析负反馈放大器，强调反馈的基本概念与 深度负反馈放大器性能指标的估算。 5）介绍谐振放大器3，强调其阻抗变换和选频作 用。 3 基本要求 1）掌握本课程内容，完成每章指定习题。 2）掌握电路分析与设计软件 333 定的实验。; 4 参考书 1）Stanley G. Burns Paul R.Bond著，董平译 《电子电路原理》 机械工业出版社，2001 2）傅丰林等编 《电子线路基础》西安电???科技大学 出版社，2001 3）张肃文编《低频电子线路》高等教育出版社 4）彭华林等编 《虚拟电子实验平台应用技术》湖南 科学出版社 5）解月珍等编 《电子电路计算机辅助分析与设计》 北京邮电大学出版社 2001 考核及计分比例 平时15% ，实验10% ， 期中15% ，期末60%。 ;第1章 晶体二极管;*1 晶体二极管:由PN结构成的电子器件.. *2 晶体二极管的主要特性:单向导电性. *3 晶体二极管结构.符号;1.1 半导体的基础知识;*3 导电性有差异的根本原因:物质内部原子结构. ; 1 本征半导体 1) 本征半导体 2) 共价键; 3) 本征半导体的导电性 ①本征激发.载流子 ②空穴 ③本征半导体两种载流子:自由电子.空穴 ④电子-空穴对 ⑤复合 ; 2 、杂质半导体 * 杂质半导体 1)N型半导体 ①多子-电子, 少子-空穴 np ②施主杂质 ③热平衡条件：n·p=ni2 电中性条件：n=Nd+p ;2）P型半导体 ①多子-空穴, 少子-电子， pn ②受主杂质 ③热平衡条件：n·p=ni2 电中性条件：p=Na+n;一、 PN结的基本原理 1.PN结 1）PN结中载流子的运动→空间电荷区; *1 漂移电流 *2 扩散电流 *3动态平衡：;二.PN结的单向导电性 1、正向特性 ;2、反向特性;3、伏安特性 Is：反向饱和电流； VT：热电压。常温（300k）下， VT=26mV。 4、温度特性;5、击穿特性 ①雪崩击穿 ②齐纳击穿 ;1.3 晶体二极管;2.特性曲线 ;二.二极管模型 1.简化电路模型 ;2、小信号电路模型 ;三.晶体二极管电路分析方法 1.图解法 ;2.简化分析法 采用简化电路模型 ;3.小信号分析法（|ΔV|5.2mV） ;例：电路如图： 1）利用硅二极管恒压模型求电路的ID和uo=Uo=？ 2）在室温（300K）的情况下，利用二极管小信 号模型求uo的变化范围。 ;解：1） 2） ;例：在图(a)所示电路中，试画出VO随VI变化的 传输特性。 解： ;1.4 晶体二极管的应用;1）整流电路 ;2）稳压电路 ①稳压原理 Izmin≤Iz≤Izmax ②稳压电路 ;3）限幅电路 ;*; 本章小结 1 晶体二极管特性. 2 晶体二极管分析方法. 3 晶体二极管的应用-整流.稳压.限幅. ;第2章 晶体三极管;*1.晶体三极管的结构及符号 ;（1）.晶体三极管组成 ： 两个结，三个区，三个极 （2） 晶体三极管内部结构： 发射区进行高掺杂，多子浓度很高。 基区做得很薄，掺杂少，多子浓度很低。 集电结面积大于发射结面积 ;*2.晶体三极管的工作模式： 放大：发射结正偏，集电结反偏 饱和：发射结正偏，集电结正偏 截止：发射结反偏，集电结反偏 * 晶体三极管的主要特性与工作模式有关;2.1 放大状态下晶体三极管的工作原理 1. 内部载流子运动：满足内部和外部条件下，内部载流子运动有三个过程 1）发射：IE=IEN+IEP 发射区多子电子通过阻挡层形成 IEN 基区多子空穴通过阻挡层形成 IEP IE=IEN+IEP≈IEN IEN ：