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光电传感器
关键字 :光电效应 光电元件 光电特性 传感器分类 传感器应用
摘要 :在科学技术高速发展的现代社会中, 人类已经入瞬息万变的信息时代, 人
们在日常生活,生产过程中,主要依靠检测技术对信息经获取、筛选和传输,来
实现制动控制, 自动调节,目前我国已将检测技术列入优先发展的科学技术之一。
由于微电子技术, 光电半导体技术, 光导纤维技术以及光栅技术的发展, 使得光
电传感器的应用与日俱增。这种传感器具有结构简单、非接触、高可靠性、高精
度、可测参数多、反应快以及结构简单 , 形式灵活多样等优点,在自动检测技术
中得到了广泛应用,它一种是以光电效应为理论基础,由光电材料构成的器件。
正文:
一、理论基础——光电效应
光电效应一般有外光电效应、光导效应、光生伏特效应。
光照在照在光电材料上, 材料表面的电子吸收的能量, 若电子吸收的能量足
够大是, 电子会克服束缚脱离材料表面而进入外界空间, 从而改变光电子材料的
导电性,这种现象成为外光电效应
根据爱因斯坦的光电子效应,光子是运动着的粒子流,每种光子的能量为
hv(v 为光波频率, h 为普朗克常数, h=6.63*10-34 J/HZ) ,由此可见不同频率
的光子具有不同的能量, 光波频率越高, 光子能量越大。 假设光子的全部能量交
给光子, 电子能量将会增加, 增加的能量一部分用于克服正离子的束缚, 另一部
分转换成电子能量。根据能量守恒定律:
1 2
m h - A
2
式中, m为电子质量 ,v 为电子逸出的初速度 ,A 微电子所做的功。
由上式可知,要使光电子逸出阴极表面的必要条件是 hA。由于不同材料具
有不同的逸出功, 因此对每一种阴极材料, 入射光都有一个确定的频率限, 当入
射光的频率低于此频率限时, 不论光强多大, 都不会产生光电子发射, 此频率限
hc
称为“红限”。相应的波长为 K A 式中, c 为光速, A 为逸出功。
当受到光照射时,吸收电子能量,其电阻率降低的导电现象称为光导效应。
它属于内光电效应。 当光照在半导体上是, 若电子的能量大与半导体禁带的能级
宽度,则电子从价带跃迁到导带, 形成电子, 同时,价带留下相应的空穴。 电子、
空穴仍留在半导体内,并参与导电在外电场作用下形成的电流。
除金属外, 多数绝缘体和半导体都有光电效应, 半导体尤为显著, 根据光导
效应制造的光电元件有固有入射光频率, 当光照在光电阻上, 其导电性增强, 电
阻值下降。光强度愈强,其阻值愈小,若停止光照,其阻值恢复到原阻值。
半导体受光照射产生电动势的现象称为光生伏特效应, 据此效应制造的光电
器件有光电池,光电二极管,管控晶闸管和光耦合器等。
二、光电元件及特性
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根据外光电元件制造的光电元件有光电子,充气光电管和光电倍曾管。
1. 光电管 光电管的种类繁多, 典型的产品有真空光电管和充气光电管, 光
它的外形和结构如图 1 所示,半圆筒形金属片制成的阴极 K 和位于阴极轴心的金
属丝制成的阳极 A 封装在抽成真空
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