2011年硕士研究生考试北大半导体物理真题.doc

2011年硕士研究生考试北大半导体物理真题 一，名词解释：1，半导体载流子 2，爱因斯坦 3，弛豫时间近似 4， 准费米能级 5，齐纳击穿 6，超晶格 二，给定非均匀掺杂的N型半导体，要求(1)画出平衡时的能带图;(2)求当x=X处的载流子浓度。三，解释半导体的电阻率随温度的变化关系曲线（刘恩科版书上的那个图）四。给出p-i-N结，写出泊松方程表达式等 （主要是利用泊松方程求解相关问题 一共四问）五，mos结构 （1）平带电压（包括功函数差，固定电荷，界面态电荷），求解平带电容。（2）当平带电压Vfb=0时 画出高频C-V特性曲线并与理想情形比较 并说明变化原因。（3）当掺杂由Na变成2Na时，高频C-V曲线与（2）情形做比较。六，金半接触，(1)画出正向偏置与反向偏置时的能带图。(2)利用泊松方程求解C_V关系，并说明掺杂浓度，金属功函数，禁带宽度对电容的影响。（3）当半导体禁带中央存在很大界面态时，求此情况的电流表达式。注：今年的题就是这些，与往年的侧重点一样。