2005年硕士研究生考试北大半导体物理真题.pdf

2005 北大半导体试题 一、给出一组电容曲线（MIS 结构电容），根据图判断曲线之间的氧化层厚度 谁大谁小。另外还要求根据图判断掺杂浓度大小 （相比较）的问题。总的来 说，该题考查的是对MIS结构电容曲线的理解及MIS 结构电容的知识。 二、给出了一实验图，要求进行解释。该题考的是对MIS 结构电容低频、高频、 深耗尽等状态的理解。尤其注意高频与深耗尽间的不同之处。 三、有 PN 结，由P 区和N 区构成，N 区分为两部分，靠近P 区那部分的浓 度是剩下的N 区浓度的 ，N 区浓度低的那部分厚度为L，但是N 区的 空间电荷区长度大于L。 1、求PN 结的势垒是多少？ 2、求其电场分布。 3、画出空间电荷区的电荷分布图（浓度分布）。（题中P 区浓度为A N ， N 区浓度为D N/2 ） 四、给出了间接复合过程图。1、要求详细说明甲乙丙丁这四个过程，及其大小 与哪些因素有关。为什么？2、根据复合速率表达式导出杂质能带分别位于 禁带上部和下部时平均自由时间的表达式 （每种分别有四种情况：强P、强 N、弱P、弱N） 五、以二维电子气模型求模式密度，并导出导带电子浓度表达式。