2012年硕士研究生考试北大半导体物理真题.doc

2012年硕士研究生考试北大半导体物理真题 一、名词解释 电导率 2、扩散电流 3、受主电离能 4、间接复合 5、平带电压 6、pn结的扩散电容 给出E-K关系的表达式求1）电子运动速度2）能带底的有效质量（原题） 给出半导体掺杂浓度ND，引入能级ED（第三大题 是这样的 这道题不好答 结果比较开放 题目给的条件太少） 费米能级EF与温度的关系2）估算达到本征激发时的温度 给出过剩载流子的寿命τ，描述了光电导产生的过程。（超纲） 写出光电导随时间的衰变规律2）掺杂浓度增加对电导率测量的影响 给出N+P结半导体，P型半导体掺杂浓度为Na，外加正向偏压Va。（常规题） 画出能带图2）求耗尽电容3）求在空间电荷区边界处，过剩载流子的浓度表达式 金属M和P型半导体接触，金属功函数为φm半导体的公函数为φs半导体的亲和势为χ，P型半导体的掺杂浓度为Na。（变了个形式考察C-V特性） 1）画出能带图并分析影响因2)设计一个实验测量肖特基势垒的大小，给出设计原理和方法3）想出影响测量精度的因素并提出方法使测量精度提高