04电镀培训教材.pptx

电镀培训教材一、工序简介 钻孔后的板经磨板去除钻孔毛刺和板面氧化层，再经除胶渣处理，利用化学的方法在经过除胶渣处理后的孔壁上沉积一层铜层，并用电镀铜的方法使孔壁和板面铜层加厚，实现线路板层间的导通。二、制作流程简介制作流程: 去毛刺 除胶渣 化学沉铜 板面电镀 外层干膜 图形电镀 1. 去毛刺流程及作用 流程: 入板 机械磨板 超声波水洗 高压水洗 烘干 出板设备能力: 板厚：0.5--12.7mm 去毛刺: 去除钻孔毛刺和板面氧化物，清洗孔壁。 磨辘: 280#和320# 2. Desmear/PTH工艺流程及原理2.1 设备：化学沉铜自动生产线2.2 Desmear/PTH工艺流程 上板 膨胀 三级水洗 除胶渣 三级水洗 中和 二级水洗 调整(除油2 除油1) 三级水洗 微蚀 二级水洗 预浸 活化 二级水洗 加速 水洗 化学沉铜 三级水洗 下板2.2.1 膨胀(Sweller)1.作用 树脂残胶是由于钻孔的高温作用粘在内层铜截面上， 膨胀主要使孔壁上的树脂软化膨松，利于高锰酸钾除去 孔壁上的树脂。2.主要成分 膨胀剂211 (RH) 氢氧化钠3.操作条件 操作温度: 78-82℃ 处理时间: 6-8mins 211强度: 80-110% NaOH: 0.7-1.0N 注: 1#程序处理时间:6-7mins(normal Tg) 2#程序处理时间:8-9mins(high Tg) 2.2.2 除胶渣(Desmear)1.作用 除胶渣是利用强氧化剂(如高锰酸钾)去除钻孔后孔壁表面的树脂残渣，并使孔壁树脂表面粗化，增加沉铜层与孔壁的结合力。2.主要成分 Circuposit MLB Promoter 214D-2 (RH) 高锰酸钾(KMnO4) 氢氧化钠3.操作条件 操作温度:78-82℃ 处理时间:8-14mins KMnO4:50-60g/l NaOH:1.0-1.3N K2MnO4≤25g/l 搅拌方式:机械搅拌或打气 注: 1#程序处理时间:8-9mins(normal Tg) 2#程序处理时间:14-15mins(high Tg)2.2.2 除胶渣(Desmear)(续)4.反应原理 4MnO4- + C(树脂) + OH-4MnO42- + CO2 + 2H2O(主反应） 副反应：2MnO4- + 2OH-2MnO42- + 1/2O2 + H2O MnO42- + H2O MnO2 + 2OH- + 1/2O2 5.再生器 利用高锰酸钾再生器电解MnO42-、MnO2副产物再生出MnO4- 重复利用。 再生电流：120-180A/组再生器 再生能力：250L/组再生器 2.2.3 中和(Neutralizer)1.作用 除去除胶渣药水残留物(高锰酸钾、锰酸钾和二氧化锰)， 防止残留物对除油及活化药水造成污染。2.主要成分 H2O2 和 H2SO43.操作条件 操作温度: 22-28℃ 处理时间: 2-3mins H2O2浓度: 1.5-2.5% H2SO4: 1.5-2.5%4.反应原理 4MnO4- + H2O2 + H+ 4MnO42- + O2 + H2O 2.2.4 调整/除油(Conditioner/Cleaner)1.作用 清除板面及孔壁轻微的污染，并调整孔壁使玻璃纤维表面负电性转为正电性，利于活化剂的吸附。2.主要成分 Circuposit Conditioner 3320 (RH)3.操作条件 操作温度:47-53℃ 处理时间: 6-8mins 3320浓度：0.5-0.7N Cu2+2g/l2.2.5 微蚀(Micro Etch)1.作用 去除板面氧化物及粗化板面和内层铜，增强化学铜与底铜的结合力。2.主要成分 Na2S2O8 和 H2SO43.操作条件 操作温度: 24-28℃ 处理时间：1-2mins Na2S2O8: 55-85g/l H2SO4:1.0-2.5% Cu2+20g/l4. 反应原理 Na2S2O8 + H2SO4 + Cu CuSO4 + Na2SO4 + H2O 2.2.6 预浸(pre-dip)1.作用 预处理板料的板面及孔壁，使活化剂更好吸附，同时避免水带入使活化液水解被破坏。2. 主要成分 预浸粉 Cataprep 404 (RH)3. 操作条件 温度: 30-36℃ 处理时间: 0.5-1mins 比重: 1.120-1.160