2021年半导体刻蚀设备MOCVD行业中微公司分析报告.pdf

目 录 cz99 一、中微公司：半导体设备国产替代先锋 7 1、等离子体刻蚀设备龙头，MOCVD 领军者 7 2 、业绩稳健增长，定增加码持续扩产 8 3、资深核心团队，技术背景雄厚 10 4 、内生外延，布局薄膜/量测赛道 11 二、刻蚀：前道工艺核心，国产替代率先突破 13 1、刻蚀工艺持续演进，多种技术路线并存 13 2 、市场空间：前道工艺中价值量最高环节 15 3、发展方向：逻辑线宽减小，存储层数增长 17 4 、海外龙头垄断，国内重点突破 20 5、设备景气度上行，国产替代正当时 21 6、国产之光：CCP/ICP 攻克，定增推进研发进程 24 7、自主可控+先进制程能力成就刻蚀设备国产替代先锋 26 三、MOCVD：GaN 外延设备龙头，化合物半导体空间打开 29 1、化合物半导体应用场景丰富，推动MOCVD 设备需求 29 2 、GaN 外延设备龙头，多重产品线布局 31 四、盈利预测、估值与投资评级 34 五、风险因素 35 表 目 录 表 1：中微公司核心技术团队 10 表 2：几种典型器件所需刻蚀步骤数 16 表 3：中微公司、北方华创及泛林半导体主要刻蚀机产品 21 表 4：中微公司与刻蚀设备龙头营收规模和研发投入对比（百万美元） 21 表 5：国内主要晶圆厂产能情况（万片/月） 22 表 6：半导体设备国产化率及已攻克制程节点 24 表 7：中微公司定增募投刻蚀研发项目 26 表 8：中微公司盈利预测 34 表 9：中微公司财务预测（百万元） 34 表 10：估值分析 35 图 目 录 图 1：中微公司产品发展历程 7 图2：中微公司核心业务 8 图3：中微公司核心客户 8 图4：2016-2021Q1 年中微营业收入（亿元） 9 图5：2017-2021Q1 财年中微两大业务营收（亿元） 9 图6：2016-2021Q1 中微利润（亿元） 9 图7：2016-2021Q1 中微利润率 9 图8：中微公司定增募投规划及建设时间 10 图9：中微的三维发展策略 11 图 10：化学沉积薄膜及外延生长设备市场 11 图 11：三维发展策略 12 图 12：刻蚀工艺原理 图 13 图 13：三维集成电路及所需刻蚀工艺 13 图 14：湿法刻蚀易产生侧壁的横向刻蚀 13 图 15：RF-CCP （电容耦合）离子源 14 图 16： RF-ICP （电感耦合）离子源 14 图 17：电容性等离子体刻蚀 14 图 18：电感性等离子体刻蚀 14 图 19：ALE 可以实现数个原子层的高精度刻蚀 15 图20：ALE 可以在不同深宽比下获得相等的刻蚀深度 15 图21：ALE 有较好的选择性 15 图22：前段设备价值量分布 16 图23：全球刻蚀设备市场规模