信息二类综合考试卷2020.docx

信息技术二类综合考试卷（2020） 第一部分（选择、判断题共150分） 一、单项选择题（共25小题，每小题4分，共100分。每题所给的四个选项中，只有一个 正确答案，请在答题卡上将该项涂黑。） 1.物体做匀变速直线运动，加速度大小是3ni/s2,初速度大小是20m/s,则经2s质点的速 度大小为（） A. 14 m/s B. 26 m/s C. 46 m/s D. 34 m/s 2.关于弹力，下列说法中正确的是（） A.相互挤压的物体之间一定存在摩擦力 B.摩擦力的大小一定随压力的增大而增大 C.摩擦力可以是动力，也可以是阻力 D,只有静止的物体才受到静摩擦力 一个质点沿两个半径为R的半圆弧由A运动到C,则它象位移和路程分别为 TOC \o 1-5 \h \z A. 4R, 2nR \— 东 B.4R向东，2丸R向东 、 C.4/R 向东，4R A B? 可 D. 4R 向东，2 兀 R / .两个电阻R1和R2串联，已知RL R2T:2,则电阻上电压之比（） A、 A、 1:2 B、 2:1 C、 1:1 5.如果“12 V”的电压加在标有“24 实际功率是（） A. 3 W B. 6 W D、1:4 V, 12 W”的用电器上，则该用电器的 C. 8 W D. 12 W .如图所示电路，电阻R的阻值均为10Q.则A、B间的等效电阻是（） A. 4Q B. 6Q C. 8Q D. 10Q RTi R Ti .如图所示电路,已知：C1=C2=20uF, C3=40uF,则A、B间的总电容是（ 5uFIOuF20uF30uF 5uF IOuF 20uF 30uF 8.如图所示电路中，El=20V,E2=10V,内阳不计,RI=20d R2=10Q.则该电路中 8.如图所示电路中，El=20V, 的电位是( ) C. 15V D. 20 VA. 5V B. 10V C. 15V D. 20 V g, l?I-- 乩 A 4 HZZZl-?I I— .如图所示电路中已知:R1=14C, R2=9。，当开关打到位置1时,A1表的读数为0.2A. 并关打到位置2时，A2表的读数为0.3 A.则电源电动势为（ ） A. 2V B. 3V C. 5V D. 6 V .选择:相负载联技方式的依据是（ ） A.相负载对称选△接法，不对称选Y B.希望获得较大功率选Y接法，否制，选△接法 C.电源为三相四线制选Y核扶，电源为三相三线制选△接法 D.选用的接法应保证每相负载得到的电压等于其额定电压 .如图所示电路是电动机自锁连续控制和点动控制的局部电路.以下说法正确的（ ） A. SB1为点动控制 B. SB2为点动控制 C. SB3为点动控制 D. SB3为自锁连续控制 .通过一个电阻的电流是5A,经过4min,通过该电阻截而的电荷是（ ） A. 20C B. 50C C. 1200C D. 2000C .如图所示，负载电压UL的波形是（ .如图所示电路，两稳压管稳定电压均为7.5V,正向导通为0.7V,电路输出 电压Uo是（） A. 1. 4V B. 7. 5V C. 8. 2V D. 15V .某三极管型号为8DG6B.说明此三极管是（） A.高频大功率管 B.低频大功率管 C.高频小功率件 D.低频小功率管 .如图所示电路中D触发器的原来状态Qn=0,当CP脉冲上升沿到来时Qn+1=1. 此时输人端AB的状态是（ ） A. 0. 0 B. 1. 1 C. 0. 1 D. 1. 0  .如图所示为七段显示译码器中发光二极管的接线图，当显示十进制数字。时、 则输入端为高电平的是（） A. b B. g C? a、 g、 d D. a、 b、 c、 d、 e f .下面哪种半导体存储器适宜作为8051单片机系统的数据存储器使用？ （ A. EEPROM B. EPROM C. OTPROM D. SRAM .下面关于MCS-51单片机系统外部扩展能力的描述正确的是（ ） A.扩展的外部程序存储器和数据存储器统一编址 B.扩展的外部数据存储器和I/O接口不能统一编址 C.扩展的并行数据存储器最大容量通常不超过64K字节 D. P1端口可以“分时复用”作为数据总线和低8位地址总线使用 .以下哪一条指令的写法是错误的（ ）。 MOVC A, MOVC A, ?A+DPTR MOV RO, #FEH C. CPL AD. PUSH ACC C. CPL A .用MCS-51串行接口扩展并行1\0 口时，串行接口工作方式应选择（ ） A.方式0B. A.方式0 B.方式1 C.方式2 D.方式3 22. MCS-51外扩 22. MCS-51外扩ROM, RAM和I/O 口时，它的数据总线是由 ）输出。 A. P0B.P1C. P2D. P3 A