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半导体物理第四章课后例题：
1.计算含有施主杂质浓度ND＝9×1015cm-3及受主杂质浓度为1.1×1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
[解]对于硅材料：ND=9×1015cm-3；NA＝1.1×1016cm-3；T＝300k时 ni=1.5×1010cm-3：
；
∵且
∴
∴
2．制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300k时的EF位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。
[解] ①根据第19题讨论，此时Ti为高掺杂，未完全电离：
，即此时为弱简并
∵
其中
作业布置
1．教材p.162第15题。
补充作业：
1．掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.04eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和磷的浓度。
[解]n型硅，△ED＝0.044eV，依题意得：
∴
∴
∴
∵
∴
2．求室温下掺锑的n型硅，使EF＝(EC＋ED)/2时的锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。
[解]由可知，EFED，∵EF标志电子的填充水平，故ED上几乎全被电子占据，又∵在室温下，故此n型Si应为高掺杂，而且已经简并了。
∵
即 ；故此n型Si应为弱简并情况。
∴
∴
其中
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