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第4章 半导体的导电性 (Electrical Conductivity)
4.1.载流子的漂移（drift ）运动
1、drift (漂移)
半导体中的载流子在外场的作用下，作定向运动漂移运动。
相应的运动速度漂移速度 。
漂移运动引起的电流漂移电流。
电场: εv
漂移速度是因电场加
速而获得的平均速度
v
v 电子
v n
漂移速度 : v d v
v 空穴
p
2 Mobility （迁移率）
v 单位电场下，载
v
v d 流子的平均漂移
=∴ vd με μ ε 迁移率 速度
迁移率的大小反映了载流子迁移的难易程度。
q τ n
μn ∗
q τ m n
可以证明： μ m ∗ q τ p
μ p ∗
m
p
3 影响迁移率的因素
qτn qτp
μn ∗ μp ∗
m m
n p
分析: 载流子的有效质量↑⇒m∗ ↓ μ ,
载流子的平均自由时间τ ↑⇒μ↑
散射
半导体的主要散射（scatting ）机构：
* Phonon （lattice ）scattering 晶格振动（声子 ）散射
* Ionized impurity scattering 电离杂质散射
* scattering by neutral impurity and defects
中性杂质和缺陷散射
* Carrier-carrier scattering 载流子之间的散射
* Intervalley scatt
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