半导体技术的发展.pptx

半导体技术的发展概况;主要内容 一、半导体技术的发展 二、半导体技术的热点 三、探讨的问题;;半导体器件的零部件例如有：将引线框架、引线键合或焊料凸点、安装架、安装容器、散热装置、密封层、封装树脂层等； 有机及无机材料半导体器件； 半导体器件的制造设备及工艺。;二、半导体技术的热点 1、纳米技术； 2、太阳能电池技术（光电）； 3、LED技术（OLED技术，电光）； 4、FinFET技术。; 2、太阳能电池技术； 　 （1）单晶硅太阳能电池 目前单晶硅太阳能电池的光电转换效率为15%左右，最高的达到24％，单晶硅太阳能电池一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装，因此其坚固耐用，使用寿命一般可达15年，最高可达25年。 　 （2）多晶硅太阳能电池 多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少，其光电转换效率约12％左右。 　 （3）非晶硅太阳能电池 非晶硅太阳电池是1976年出现的新型薄膜式太阳电池，目前国际先进水平为10％左右，且不够稳定，随着时间的延长，其转换效率衰减。 　; 2、太阳能电池技术 　4）化合物半导体太阳电池 a) 硫化镉太阳能电池； b) 砷化镓太阳能电池； c) 铜铟硒太阳能电池(新型多元带隙梯度Cu(In, Ga)Se2薄膜太阳能电池，光电转化率为18％) ; 2、太阳能电池技术 　（5）染料敏化太阳能电池 染料敏化太阳能电池（DSC）主要由纳米多孔半导体薄膜、染料敏化剂、氧化还原电解质、对电极和导电基底等几部分组成。纳米多孔半导体薄膜通常为金属氧化物（TiO2、SnO2、ZnO等），聚集在有透明导电膜的玻璃板上作为DSC的负极。对电极作为还原催化剂，通常在带有透明导电膜的玻璃上镀上铂。敏化染料吸附在纳米多孔二氧化钛膜面上。正负极间填充的是含有氧化还原电对的电解质，最常用的是I3/I-。 DSC与传统的太阳电池相比有以下一些优势（附图FTO 导电玻璃上的ZnO纳米片SEM图） a) 寿命长：使用寿命可达15-20年； b) 结构简单、生产工艺简单，易于制造； c) 生产成本较低。 ? ?? ?1991年由瑞士洛桑联邦理工学院首次发表了染料敏化电池的原型，其光电转换效率达到7.1%~7.9%。; 2、太阳能电池技术； 从太阳能电池芯片的结构的角度进行分类，太阳能电池专利技术可以分为PN结、PIN结、肖特基结、异质结、MIS结、超晶格能带结构和能带渐变结构。 （1）PN结结构： PN结结构的最早专利申请始于1965年。 （2）PIN结结构，最早专利申请始于1955年。; 2、太阳能电池技术； （3）异质结结构： 最早专利申请始于1956年 （4）肖特基结结构： 专利申请始于1966年; 2、太阳能电池技术； （5）MIS结结构 专利申请始于1971年 （6）超晶格能带结构 专利申请始于1982年 （7）能带渐变结构 最早专利申请始于1977年 ;4、FinFET技术;Low k介质材料;14;(2) High k介质材料;High k介质材料;High k介质材料;High k介质材料;High k介质材料ALD (原子层淀积);High k介质材料;High k介质材料;(3) FinFET;FinFET;FinFET;FinFET-制造;FinFET-制造;27;FinFET 快闪存储器;三、探讨的问题 改进型产品：集成电路布图、含有计算机软件的制造设备、印刷电路板 （1）印刷电路板能否获取专利保护（版权、外观设计、商业秘密）？ （2）集成电路布图能否获取专利保护（集成电路布图设计保护条例、版权、商业秘密）？ （3）含有计算机软件的制造设备能否获取专利保护？; （1）印刷电路板能否获取专利保护（版权、外观、商业秘密）？ 申请文件如何表述？ 案例1： 权利要求; （2）集成电路布图能否获取专利保护（集成电路布图设计保护条例、版权、商业秘密）？ 申请文件如何表述？;案例2 ; （3）含有计算机软件的制造设备能否获取保护？ 申请文件如何表述？;谢谢！;9、春去春又回，新桃换旧符。在那桃花盛开的地方，在这醉人芬芳的季节，愿你生活像春天一样阳光，心情像桃花一样美丽，日子像桃子一样甜蜜。7月-217月-21Tuesday, July 27, 2021 10、人的志向通常和他们的能力成正比例。18:37:3118:37:3118:377/27/2021 6:37:31 PM 11、夫学须志也，才须学也，非学无以广才，非志无以成学。7月-2118:37:3118:37Jul-2127-