微电子学微电子学试卷（微电子学）.docVIP

试卷第 PAGE 1 页共 NUMPAGES 1 页 微电子学微电子学试卷（微电子学） 姓名:_____________ 年级:____________ 学号:______________ 题型 选择题 填空题 解答题 判断题 计算题 附加题 总分 得分 评卷人 得分 l 11、集成电路的性能指标有哪些？ 12、什么是集成电路设计？集成电路的设计方法有哪些？ 13、集成电路设计流程，三个设计步骤？ 14、简述VHDL语言的用途及其电路描述风格？ 15、什么是电路模拟？其在IC设计中的作用？ 16、器件模拟 17、工艺模拟 18、光电器件主要包括哪几类？简述光电倍增管的基本原理？ 19、微电子学是以实现（ ）的集成为目的的。 20、集成电路封装的类型非常多样化。按管壳的材料可以分为金属封装、（ ）和塑料封装。 21、（ ）是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。 22、PN结的最基本性质之一就是其具有（ ）。 23、根据不同的击穿机理，PN结击穿主要分为（ ）和隧道击穿这两种电击穿。 24、隧道击穿主要取决于空间电荷区中的（ ）。 25、PN结总的电容应该包括势垒电容和（ ）之和。 26、在正常使用条件下，晶体管的发射结加正向小电压，称为（ ）偏置，集电结加反向大电压，称为反向偏置。 27、晶体管的直流特性（ ）是指晶体管的输入和输出电流-电压关系曲线。 28、晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域：放大区，饱和区，（ ）。 29、双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为（ ）来使用，在电路中得到了大量的应用。 30、N型半导体中电子是多子，空穴是（ ）。 31、在P型半导体中空穴是多子，（ ）是少子。 32、所谓（ ），是指幅度随时间连续变化的信号。 33、所谓（ ），指在时间上和幅度上离散取值的信号。 34、计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做（ ）。 35、半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（ ）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。 36、MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（ ）型。 37、集成电路的特征尺寸有时也称线宽，通常是指集成电路中半导体器件的（ ）。 38、集成电路的特征尺寸是衡量集成电路加工工艺水平和（ ）的主要指标。 39、集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、（ ）、封装等工序。 40、双极型晶体管其有两种基本结构：PNP型和（ ）型。 41、双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种（ ）。 42、能量最高的是价电子所填充的能带，称为（ ）。 43、2000年，因发明集成电路而被授予诺贝尔物理学奖的是（ ）。 44、在微电子学中的空间尺寸通常是以μm和（ ）为单位的。 45、本征半导体的导电能力很弱，热稳定性很（ ）。 46、非晶、（ ）、单晶是固体的三种基本类型。 47、晶体性质的基本特征之一是具有（ ）。 48、MOSIC的缺点是（ ）。 49、硅和锗都是Ⅳ族元素，它们具有（ ）结构。 50、（ ）集成电路已成为集成电路的主流。 51、一般认为MOS集成电路功耗低、（ ），宜用作数字集成电路。 52、迁移率反映的是载流子（ ）在单位电场作用下的平均漂移速度。 53、反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是（ ）。 54、组合逻辑电路的输出状态只与当时的（ ）有关。 55、微电子技术、通信技术和因特网技术构成了信息技术发展的三大基础。 56、微电子技术的核心是集成电路，中央处理器是集成电路的标志性产品之一。 57、双极集成电路中的晶体管工作机理依赖于电子或者空穴。 58、EDA是计算机辅助测试的英文简称。 59、在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。 60、双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。 61、常用来制造半导体发光二极管的材料是直接跃迁晶体材料。 62、SOC指的是系统芯片。 63、微机电系统的制造工艺与IC制造工艺是完全一样的。 64、常用的IC设计方法有全定制设计方法、标准单元设计方法、门阵列设计方法和可编程逻辑电路设