微电子技术概论期末试题.pdf

《微电子技术概论》期末复习题 试卷结构： 填空题 40分， 40个空，每空 1分， 选择题 30分， 15道题，每题 2分， 问答题 30分， 5道题，每题 6分 填空题 1. 微电子学是以实现 电路和系统 的集成为目的的。 2. 微电子学中实现的电路和系统又称为 集成电路和集成系统 ，是微小化的。 3. 集成电路封装的类型非常多样化。 按管壳的材料可以分为 金属封装 、 陶瓷封装 和 塑料封装 。 4. 材料按其导电性能的差异可以分为三类： 导体 、 半导体 和 绝缘体 。 5. 迁移率 是载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度。 6.PN 结的最基本性质之一就是其具有 单向导电性 。 7. 根据不同的击穿机理， PN 结击穿主要分为 雪崩击穿和 隧道击穿这两种电击穿。 8. 隧道击穿主要取决于空间电荷区中的 最大电场 。 9. PN 结电容效应 是 PN结的一个基本特性。 10.PN结总的电容应该包括 势垒电容 和 扩散电容 之和。 11. 在正常使用条件下， 晶体管的发射结加 正向小电压 ，称为正向偏置， 集电结加反 向大电压，称为反向偏置。 12. 晶体管的 直流特性曲线 是指晶体管的输入和输出电流 - 电压关系曲线， 13. 晶体管的直流特性曲线可以分为三个区域： 放大区 ， 饱和区 ， 截止区 。 14. 晶体管在满足一定条件时，它可以工作在 放大 、 饱和 、 截止 三个区域中。 15. 双极型晶体管可以作为放大晶体管， 也可以作为 开关 来使用， 在电路中得到了 大量的应用。 16. 一般情况下开关管的工作电压为 5V ，放大管的工作电压为 20V 。 17. 在 N 型半导体中电子是多子，空穴是少子； 18. 在 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 19. 所谓模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。 20. 收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号是模拟 信号 。 21. 所谓数字信号，指在时间上和幅度上离散取值的信号。 22. 计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又 叫做数字信号。 23. 半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、二极 管、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。 24. MOS 型集成电路又分为 NMOS、PMOS、CMOS型。 25. 集成电路的特征尺寸有时也称线宽，通常是指集成电路中半导体器件的最小尺度 26. 集成电路的特征尺寸是衡量集成电路加工工艺水平和设计水平的主要指标。 27. 功耗延迟积越小，即集成电路的速度越快或功耗越小，性能越好。 28. 集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、测试、封装等工序。 29. 双极型晶体管其有两种基本结构： PNP型 和 NPN 型。 30. 在数字电路中，双极型晶体管是当成开关来使用的。 31. 双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种模拟电信号。 选择题： （ D ）1. 下列科学家当中不属于 1956年因发明晶体管同时荣获诺贝尔物理学奖的 是 。 A. 肖克莱 B. 巴丁 C. 布拉顿 D. 基尔比 （ A ）2.2000 年，因发明集成电路而被授予诺贝尔物理学奖的是 。 A. 基尔比 B.巴丁 C.摩尔 D.爱因斯坦 （ A ）3.在微电子学