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第一章 硅的晶体结构与单晶生长 ;第一章 硅的晶体结构与单晶生长 ;第一章 硅的晶体结构与单晶生长 ; 1.1 硅晶体结构的特点
1.2 晶向、晶面和堆积模型
1.3 硅晶体中的缺陷
1.4 硅中的杂质
1.5 杂质在硅晶体中的溶解度
1.6 硅单晶生长 ;§1.1 硅晶体结构的特点;简单立方 体心立方 面心立方; 300K时,硅的a=5.4305? ,锗的a=5.6463? ;1.1.2 原子密度;1.1.3 共价四面体;1.1.4 晶体内部的空隙;§1.2晶向、晶面和堆积模型;晶向的表示方法;等效晶向(1);等效晶向(2);1.2.2 晶面;等效晶面;硅片鉴别方法(SEMI标准);1.2.3 堆积模型图;密堆积类型:;1.2.4 双层密排面;金刚石晶面性质:;1.3 硅晶体中的缺陷;点缺陷(扩散、氧化);线缺陷;刃位错的形成;螺位错的形成;面缺陷(层错和晶粒间界);可以通过外延层错测量外延层的厚度。;返回;§1.4 硅中的杂质;§1.4 硅中的杂质;N 型半导体(Ⅴ族元素);P 型半导体(III 族元素);掺杂半导体;掺杂半导体;§1.5 杂质在硅中的溶解度;固溶体分类:
替位式固溶体 杂质占据格点位置
形成替位式固溶体必要条件:
溶质原子半径的大小接近溶剂原子半径,若溶质原子半径与溶剂原子半径相差大于15%,则可能性很小。 (几何有利因素)
连续固溶体(一种物质可无限溶解于另一种物质中)
需为替位式固溶体,且溶剂和溶质原子外部电子壳层结构相似
大部分施主和受主杂质都与硅形成替位式固溶体
间隙式固溶体 杂质存在间隙中;施主(受主)杂质的溶解度,将随晶体中的受主(施主)杂质含量的增加而增大
某种施主(受主)杂质的存在会导致其它施主(受主)杂质的溶解度的下降
选择杂质的依据:杂质的固溶度是否大于所要求的表面浓度
参考P19图1-20 在硅晶体中的固溶度随温度的关系
;晶体生长;1、起始材料:石英岩(高纯度硅砂);3、利用分馏法将三氯化硅(沸点为32℃)液体中不要的杂质去除,再与氢气作还原反应,产生“电子级硅”(electronic-grade silicon,EGS);多晶半导体-单晶;直拉法;直拉法;硅的悬浮区熔工艺;在操作过程中,利用射频加热器使一小区域的多晶棒熔融。射频加热器自底部籽晶往上扫过整个多晶棒,由此熔融带也会扫过整个多晶棒。当悬浮熔区上移时,在再结晶处长出单晶且以籽晶方向延伸生长。
该方法可生产比直拉法更高阻值的物质,主要用于需要高阻率材料的器件,如高功率、高压等器件。;磨光后单晶硅晶片的规格;exercise;answer;9、春去春又回,新桃换旧符。在那桃花盛开的地方,在这醉人芬芳的季节,愿你生活像春天一样阳光,心情像桃花一样美丽,日子像桃子一样甜蜜。8月-218月-21Monday, August 2, 2021
10、人的志向通常和他们的能力成正比例。20:41:5020:41:5020:418/2/2021 8:41:50 PM
11、夫学须志也,才须学也,非学无以广才,非志无以成学。8月-2120:41:5020:41Aug-2102-Aug-21
12、越是无能的人,越喜欢挑剔别人的错儿。20:41:5020:41:5020:41Monday, August 2, 2021
13、志不立,天下无可成之事。8月-218月-2120:41:5020:41:50August 2, 2021
14、Thank you very much for taking me with you on that splendid outing to London. It was the first time that I had seen the Tower or any of the other famous sights. If Id gone alone, I couldnt have seen nearly as much, because I wouldnt have known my way about.
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15、会当凌绝顶,一览众山小。八月 218:41 下午8月-2120:41August 2, 2021
16、如果一个人不知道他要驶向哪头,那么任何风都不是顺风。2021/8/2 20:41:5020:41:5002 August 2021
17、一个人如果不到最高峰,他就没有片刻的安宁,他也就不会感到生命的恬静和光荣。8:41:50 下午8:41 下午20:41:508月-21
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