Versine_SuperJunction_MOSFET产品简要资料.ppt

SJ与普通DMOS结构的理论Ron*A对比 如何选用功率MOSFET 功率MOSFET的损耗分类 BUCK Converter中Hi-side 和Low-side MOSFET的损耗类型 Versine_SuperJunction_MOSFET产品简要资料 Versine SJMOS产品简介 Versine SJMOS器件特性 Versine SJMOS应用概述 Product list RONA和BV是线性关系！！！ Super Junction MOSFET主要是改变了传统VDMOS的耐压结构，通过在Nepi中引入Ppillar，形成横向的PN结，在器件反偏时实现横向耗尽，这样可以提高外延的掺杂浓度，极大的缓解耐压与导通电阻的矛盾。 高压SJ的RONA比普通DMOS低很多！！！ Multi-Epi technology Deep-Trench technology 工艺特点：Versine_SJ MOSFET基于单次外延的深槽刻蚀技术，相对于多层外延，可以减少工艺步骤并降低光刻对准的难度。但是该工艺对深槽的刻蚀和填充能力要求较高，并且需要对Trench的浓度控制很精确，能够有很好的电荷匹配来实现耐压要求。 Versine_SJⅠ Versine_SJⅡ 器件优化：Versine不断提高我们的工艺技术，并进一步优化器件性能，目前开发的第二代超结技术（SJⅡ），相对于第一代来说，器件性能（Ron*A）约有30%的提升，具备很强的产品竞争力。 Infineon C3 Infineon C7 Infineon C6 Fairchild SuperFET Fairchild SupreMOS ST MDmesh Ⅱ Toshiba DTMOS Ⅳ Toshiba DTMOS Ⅰ ST MDmesh Ⅴ Versine SJ-Ⅰ Versine SJ-Ⅱ Ron*A （mohm.cm2） 技术路线：Versine超结技术虽然起步较晚，但在国内仍处于领先地位，并紧跟国际主流厂商如Infineon、ST等的开发步伐。 Versine SJMOS产品简介 Versine SJMOS器件特性 Versine SJMOS应用概述 Product list 电学特性：下面以600V/20A产品为例介绍产品特性 输出特性曲线 转移特性曲线 导通电阻和阈值电压随温度的变化关系 BV和Idss随温度的变化关系 电容和栅电荷的测试曲线 58 85 55 Qg 22 28 16 Qgd nC 14 16 15 VDD=480V, ID=20A, VGS=10V Qgs 1580 1430 1625 Crss 10900 8380 9510 Coss pF 4910 4010 3760 VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz Ciss Ω 0.129 0.144 0.142 VGS=10V, ID=1A RDS(on) V 4 2.8 2.85 ID=250μA, VGS=VDS VGS(th) V 687 677 679 VGS=0V, ID=250μA V(BR)DSS Value Unit Competitor-B Competitor-A Versine Conditions Symbol Versine_20N60和部分Competitor的电学特性参数对比 测试条件： Vdd=50V, Vg=10V, L=10.5mH 测试结果： IAS12A, EAS750mJ Versine_SJ20N60雪崩耐量测试 Versine_SJ Competitor Versine_SJ20N60反向恢复测试 测试条件： VR=480V, IF=20A, di/dt=100A/us 测试结果： Versine：trr=400ns, Qrr=4uC Competitor：trr=700ns, Qrr=6uC Versine SJMOS产品简介 Versine SJMOS器件特性 Versine SJMOS应用概述 Product list SJ_MOSFET的选用 SJ_MOSFET在电源中的应用 SJ_MOSFET的常见失效 价格 功率MOSFET的损耗 电子系统的体积 在功率MOSFET能够满足基本电路要求的情况下，存在着如上所示的 折衷关系。 1. 导通损耗。 Pon=Rds×Id2 2. 开关损耗。 Psw∝f×Qgd×Vds