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[自学考试密押题库与答案解析]电子技术基础自考题模拟1 [自学考试密押题库与答案解析]电子技术基础自考题模拟1 PAGE1 / NUMPAGES1 [自学考试密押题库与答案解析]电子技术基础自考题模拟1 电子技术基础自考题模拟1一、单项选择题(在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的。)问题:1. N型半导体中的多数载流子是A.空穴B.自由电子C.施主离子D.受主离子答案:B[解析] 本题主要考查的知识点为N型半导体的特点。[要点透析] N型半导体是在纯净半导体材料中掺入少量五价杂质元素得到的，由于半导体材料原子是四价的，每掺入一个杂质原子，就会带来一个不受共价键束缚的自由电子，导致半导体中自由电子数量远远多于空穴数量，所以自由电子是N型半导体中的多数载流子。施主离子和受主离子是由杂质原子失去或得到一个电子而形成的不可移动的空间电荷，不是载流子。问题:2. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于A.温度B.光照C.掺入杂质的数量D.本征激发的程度答案:C[解析] 本题主要考查的知识点为杂质半导体中，影响多数载流子浓度的因素。[要点透析] 杂质半导体中多数载流子主要是由于掺入三价元素或五价元素而产生的，虽然本征激发也会产生一些载流子，但数量远远小于掺杂所产生的载流子的数量。问题:3. 在某放大电路中，测得一正常工作的三极管三个电极的静态对地电位分别为0V、-10V、-9.3V，则这只三极管是A.NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管答案:A[解析] 本题主要考查的知识点为由三极管各电极的静态对地电位判断其类型。[要点透析] 由题中条件可知，集电极电位为0V。在三个电极中，集电极电位最高，由集电结反向偏置可知集电区一定为N型区；再由发射结正向偏置时电压为-9.3V-(-10)V=0.7V可知，此管为NPN型硅管。问题:4. 若三极管的发射结、集电结均反偏，则其将工作于A.放大区B.饱和区C.截止区D.击穿区答案:C[解析] 本题主要考查的知识点为三极管处在截止区时的偏置特征。[要点透析] 根据三极管的输出特性可知，当三极管的发射结和集电结均反向偏置时，三极管处于截止状态。问题:5. 杂质半导体中的少数载流子的浓度取决于A.掺杂浓度B.制造工艺C.晶体结构D.温度答案:D[解析] 本题主要考查的知识点为杂质半导体中，影响少数载流子浓度的因素。[要点透析] 在杂质半导体中，少数载流子完全由本征激发产生，其浓度取决于半导体中本征激发的剧烈程度，由于温度是影响本征激发剧烈程度的主要因素，故杂质半导体中的少数载流子的浓度取决于温度。问题:6. PN结正向偏置时所呈现的特点是A.形成较小的正向电流，呈现较小的正向电阻B.形成较小的正向电流，呈现较大的正向电阻C.形成较大的正向电流，呈现较小的正向电阻D.形成较大的正向电流，呈现较大的正向电阻答案:C[解析] 本题主要考查的知识点为PN结正向偏置时的特点。[要点透析] PN结接正向电压时，即P区接电源正极，N区接电源负极，称为正向偏置。当PN结正向偏置时，由于内部多子扩散运动形成的电流增强，在外电路上形成一个较大的正向电流，此时PN结表现为正向电阻较小。问题:7. 构成集成运算放大器输入级的电路，一般是A.共发射极放大电路B.共基极放大电路C.共集电极放大电路D.差动放大电路答案:D[解析] 主要考查的知识点为构成集成运算放大器输入级的电路。[要点透析] 集成运算放大器级间采用直接耦合方式，易产生零点漂移，而克服零点漂移最常用的电路是差动放大电路，故集成运算放大器一般采用差动放大电路作为输入级。问题:8. 下列基本放大电路中，既能放大电压信号又能放大电流信号的是A.共发射极放大电路B.共基极放大电路C.共集电极放大电路D.共漏极放大电路答案:A[解析] 主要考查的知识点为共发射极放大电路的特点。[要点透析] 共发射极放大电路既能放大电压信号又能放大电流信号。问题:9. 一般来说，集成运算放大电路的输出级应有A.足够大的电压放大倍数B.足够大的输出功率和较小的输出电阻C.稳定的输出电流和较小的输出电阻D.稳定的输出电压和较大的输出电阻答案:B[解析] 本题主要考查的知识点为集成运算放大电路输出级的特点。[要点透析] 放大电路的输出级应有较强的带负载能力。要使一个电路有较强的带负载能力，就必须有较大的输出电压和较大的输出电流。要在一定输出电压下有较大的输出电流，就必须有较小的输出电阻。因此选项B正确。问题:10. 三极管β值是反映 能力的参数。A.电压控制电压B.电流控制电流C.电压控制电流