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第二章 光纤通信参考答案
11. 半导体激光器发射光子的能量近似等于材料的禁带宽度,已知GaAs材料的Eg=1.43eV,某一InGaAsP材料的Eg=0.96eV,求它们的发射波长。(eV是能量单位,表示一个电子在1伏特电压差下所具有的能量)
解:
InGaAsP材料,
12. 一半导体激光器,谐振腔长L=300μm,工作物质的损耗系数α=1mm-1,谐振腔两端镜面的反射率R1R2=0.33×0.33,求激光器的阈值增益系统γth。若后镜面的反射率提高到R2=1,求阈值时的增益以及阈值电流的变化。
解:
R2=1时,
阈值电流变小
13. 一半导体激光器
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