模拟电子技术基础 自测题及答案.docVIP

自测题一 一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ ） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ ）。 A．外电场 B．内电场 C．掺杂 D．热激发 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ ）。 A．右移 B．左移 C．上移 D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ ）。 A．增大 B．减小 C．不变 D．不确定 5．三极管β值是反映（ ）能力的参数。 A．电压控制电压 B．电流控制电流 C．电压控制电流 D．电流控制电压 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为，，，则对应该管的管脚排列依次是（ ）。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ ）。 A．非饱和区 B．饱和区 C．截止区 D．击穿区 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的 性能。 6．三极管最重要的特性是 。 8．场效应晶体管属于 控制器件。 9．场效应管的最大优点是 。 自测题一 一、判断题 1.错 2.对 3.错 二、单选题 1.D 2.C 3.B 4.A 5.B 6.A 7.B 8.B 9.B 10.D 11.B 12.B 三、填空题 1.掺杂浓度 2.漂移 3.单向导电性 4.变窄 5.削弱 6.电流放大作用 7.增大 8.电压 9.输入电阻高 10.增强型MOS管 11.N沟道增强型 12.P沟道增强型 自测题二 一、判断题 1．晶体管的输入电阻是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（ ） 2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（ ） 5．直接耦合放大电路只能放大直流信号，不能放大交流信号。（ ） 二、单选题 1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（ ）。 A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定 2．在基本共射放大电路中，信号源内阻减小时，输入电阻将（ ）。 A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定 6．晶体管能够放大的外部条件是（ ）。 A．发射结正偏，集电结正偏 B．发射结正偏，集电结反偏 C．发射结反偏，集电结正偏 D．发射结反偏，集电结反偏 7．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（ ）。 A．电压放大倍数高 B．输出电流小 C．输出电阻增大 D．带负载能力强 三、填空题 1．要使三极管放大电路不失真，必须设置合理的 。 2．在三极管放大电路中，静态工作点过高会产生 失真。 3．若放大电路静态工作点选的过低，信号容易产生 失真。 4．基本共射放大电路，当温度升高时，Q点将向 移。 5．若三极管发射结正偏，集电结也正偏则三极管处于 状态。 6．共集电极放大电路输出电压与输入电压的相位 。 7．放大器的输入电阻越大，表明放大器获取输入电压的能力越 。 8．在放大电路中，若负载电阻RL越大，则其电压放大倍数 。 自测题二 一、判断题 1.错 2.对 3.错 4.错 5.错 二、单选题 1.C 2.C 3.C 4.B 5.B 6.B 7.D 8.A 9.A 10.A 11.A 12.B 13.B 14.B 15.B 三、填空题 1.静态工作点 2.饱和 3.截止 4.上 5.饱和 6.相同 7.强 8.越大 9.1K? 10. 自测题三 一、判断题 1．测得两共射放大电路空载电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。（ ） 3．阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号