SITP_256×1 InGaAs探测器使用说明书.docxVIP

短波红外InGaAs焦平面探测器接口说明 1.产品名称 256×1短波红外InGaAs焦平面探测器组件 2.产品结构及特点 探测器组件结构组成如图1所示。 256×1 256×1短波红外InGaAs焦平面探测器组件 芯片-电路模块 管壳 热电致冷器 窗口-盖板 InGaAs芯片 读出电路 窗口 盖板 图1 InGaAs组件结构组成图 其中，芯片-电路模块由1个256×1的InGaAs芯片、2个128×1的读出电路及一个过渡电极板组合而成。光敏芯片采用正入射结构，光敏元为长条形结构，256个光敏元呈一字型排列，相邻光敏元的中心距为50μm，单个光敏元尺寸为50μm×500μm，如图2所示。 图2 256×1的InGaAs光敏芯片 3.产品照片 图3 产品照片 4.典型特性 表1 主要性能参数 器件规模 256×1 像元尺寸μm2 50×500 像元中心距μm 50 光谱响应 μm 0.9～1.7 峰值探测率 cmHz1/2/W @5℃,1.55μm ≥2×1012 响应非均匀性 % ≤5 盲元率 % ≤2 动态范围dB ≥70 工作温度范围 ℃ -20～60 贮存温度范围 ℃ -40～70 外形尺寸/封装形式mm ≤75(L)×30(W)×15(H) 图4 产品的典型响应光谱 5.使用接口 （1）机械接口 图5 外形结构 表2 外形尺寸（单位：mm） 尺 寸 符 号 A1 A2 A3 A4 A5 B1 B2 最 小 54.00 — 42.50 35.26 — 28.40 22.60 公称值 — 49.00 — — 2.54 — — 最 大 56.00 — 43.50 35.86 — 29.40 23.20 尺 寸 符 号 B3 B4 A C1 C2 C3 L 最 小 — — 2.10 9.00 1.80 4.15 4.60 公称值 12.50 6.60 — — — — — 最 大 — — 2.50 10.00 2.20 4.75 — 尺 寸 符 号 D1 b C — — — — 最 小 3.10 — — — — — — 公称值 — 1.00 0.50 — — — — 最 大 — — — — — — — （2）电学接口 面对管壳顶部，使热电致冷器引出端指向左侧，从左下角按逆时针方向依次数引出线为1，2，……32，见图6和表3。 图6 引出端排列图 表3 引出端排列 管 脚 符号 接法/功能 管 脚 符号 接法/功能 1 Pt-I 热敏电阻Ⅰ 16 Pt-II 热敏电阻Ⅱ 2 Pt-I 热敏电阻Ⅰ 17 Pt-II 热敏电阻Ⅱ 3 Sgnd 芯片公共引线 18 Sgnd 芯片公共引线 4 RST 复位脉冲 19 RST 复位脉冲 5 SH2 采样2 20 SH2 采样2 6 SH1 采样1 21 SH1 采样1 7 ST 起始脉冲 22 ST 起始脉冲 8 Vdd 电源5V 23 Vdd 电源5V 9 CLK1 时钟1 24 CLK1 时钟1 10 CLK2 时钟2 25 CLK2 时钟2 11 Vref 参考电压 26 Vref 参考电压 12 Bias 偏置电压 27 Bias 偏置电压 13 GND 接地 28 GND 接地 14 Out2 输出2 29 Out4 输出4 15 Out1 输出1 30 Out3 输出3 31 TEC- 致冷器(-) 32 TEC+ 致冷器(+) 注：所有管脚均与管壳悬空 电源电压Vdd典型值5V，最小值4.8V，最大值5.2V； 偏置电压Bias端外接100K欧姆电阻到地； 输出信号Vout端外接100K欧姆电阻到地； 参考电压Vref和芯片公共引线Sgnd端典型值2.5，最小值2V，最大值4V； 组件的读出电路采用相关双采样的读出方式，Out1与Out2、Out3与Out4差分后得到最终信号； 常用时钟频率为20kHz～100kHz； 工作脉冲波形如图7所示： 图7 工作脉冲波形图 6.使用注意事项 ⑴产品使用过程中，热电致冷器正、负端不可接反，否则会影响组件的性能和使用寿命； (2)组件采用Pt电阻进行测温，制冷效果和环境温度、电源性能、散热状态相关； (3)在组件的管脚上置有静电保护装置，组件在使用过程中，操作人员应手带静电手腕，采取妥善的静电防护措施，然后拆下静电保护装置、使用； (4)产品在存贮、运输过程中，应带上静电保护装置; (5)组件不工作时，应停止给热电致冷器供电，以延长热电致冷器的使用寿命。