金刚石表面氢终止形成的化学反应机制.docxVIP

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2021-08-17 发布于湖南
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金刚石表面氢终止形成的化学反应机制.docx

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　　1 引言　　金刚石体材料由于具有高的禁带宽度、最高的热导率以及极高的电子饱和迁移速率，成为继第三代半导体GaN、SiC之后的第四代半导体。1,2众所周知，常规的金刚石材料属于绝缘体，通过B掺杂可以实现p型导电。3然而由于硼掺杂金刚石电离能高〔0.36 eV〕，在室温下很难完全电离，而重掺杂又往往导致金刚石外表损伤，半导体性质下降，因此限制了其作为半导体的应用。与其他碳材料类似，可以通过外表改性手段对其进行功能化修饰。4,5其中通过外表形成氢终止，可以赋予金刚石外表近表层p型导电沟道特性，使其成为高功率微波器件应用的良好选择。6,7然而金刚石外表具有较高的化学惰性，