集成电路CMOS题库.pdf

一 、 选 择 题 1.GordonMoore 在 1965 年预言 : 每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番。（ B） A.12B.18C.20D.24 2.MOS管的小信号输出电阻是由 MOS管的效应产生的。（ C） A. 体 B. 衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 3. 在 CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让 MOS管工作在区。（ D） A. 亚阈值区 B. 深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 4.MOS管一旦出现现象，此时的 MOS管将进入饱和区。（ A） A. 夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽 5. 表征了 MOS器件的灵敏度。（ C） A. r B. g C. g D. u c o mb m n ox 6.Cascode 放大器中两个相同的 NMOS管具有不相同的。 （B） A. r B. g C. g D. u c o mb m n ox 7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显着的因素是。（ C） A. 尾电流源的小信号输出阻抗为有限值 B. 负载不匹配 C.输入 MOS不匹配 D. 电路制造中的误差 8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益。 （C ） A. 二极管负载差分放大器 B. 电流源负载差分放大器 C.有源电流镜差分放大器 D.Cascode 负载 Casocde差分放大器 9. 镜像电流源一般要求相同的。 （D ） A. 制造工艺 B. 器件宽长比 C. 器件宽度 W D. 器件长度 L 10. NMOS管的导电沟道中依靠导电。（ ） A. 电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷 11.下列结构中密勒效应最大的是。（ A） A.共源级放大器 B.源级跟随器 C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大器 12.在 NMOS 中，若 Vsb 0 会使阈值电。（ A） A.增大 B.不变 C.减小 D.可大可小 13.模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是。（ C） A.增益 B.输出电阻 C.输出摆幅 D.输入电阻 14.模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是。（ A） A.增益 B.电压净空 C.输出摆幅 D.输入偏置 15.下图中，其中电压放大器的增益为 -A，假定该放大器为理想放大器。请计算该 电路的等效输入电阻为。 （） 第 15 题 R R A. B. C. R( 1 A ) D. R(1 1 A) 1 A 1 1 A 16.不能直接工作的共源极放大器是共源极放大器。（ C） A. 电阻负载 B.二极管连接负载 C.电流源负载 D.二极管和电流源并联负载 17.模拟集成电路设计中的最后一步是。（ B） A. 电路设计 B.版图设计 C.规格定义 D.电路结构选择 18.在当今的集成电路制造工艺中，工艺制造的 IC 在功耗方面具有最大的优势。（ B） A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS 19.PMOS管的导电沟道中依靠导电。（ B） B.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷 20. 电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小