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2 半导体三极管及放大电路基础;2.1 半导体三极管;2.1.1 BJT的结构简介; 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。; 结构特点:;; 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载流子传输体现出来的。 外部条件:发射结正偏 集电结反偏; 扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB,漂移运动形成集电极电流IC。;2. 电流分配关系;其中;;3. 三极管的三种组态;共基极放大电路;+; 综上所述,三极管的放大作用,主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输,然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是: (1)内部条件:发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,且基区很薄。 (2)外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置。;2.1.3 BJT的V-I 特性曲线;饱和区:iC明显受vCE控制的区域,该区域内,一般vCE<0.7V (硅管)。此时,发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。;晶体管的三个工作区域;2.1.4 BJT的主要参数;(2) 共发射极交流电流放大系数? ;1. 电流放大系数 ; (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=(1+ )ICBO ;(1) 集电极最大允许电流ICM; 3. 极限参数;2.1.5 温度对BJT参数及特性的影响;2.2 共射极放大电路的工作原理;;设置静态工作点的必要性;;2.3 放大电路的分析方法;;;? 在输出特性曲线上,作出直流负载线 VCE=VCC-iCRc,与IBQ曲线的交点即为Q点,从而得到VCEQ 和ICQ。;斜率不变;? 根据vs的波形,在BJT的输入特性曲线图上画出vBE 、 iB 的波形;? 根据iB的变化范围在输出特性曲线图上画出iC和vCE 的波形;2. 动态工作情况的图解分析;3. 静态工作点对波形失真的影响;饱和失真;4、放大电路的组成原则;两种实用放大电路:(1)直接耦合放大电路;两种实用放大电路:(2)阻容耦合放大电路; 采用该方法分析静态工作点,必须已知三极管的输入输出特性曲线。;直流通路; 二、 动态工作情况分析;2. 输入交流信号时的图解分析;4. 图解分析法的适用范围;2.3.2 小信号模型分析法---等效电路法;直流模型;1. BJT的H参数及小信号模型;1. BJT的H参数及小信号模型;其中各参数的物理意义:;1. BJT的H参数及小信号模型;1. BJT的H参数及小信号模型;1. BJT的H参数及小信号模型;2.3.2 小信号模型分析法;2. 用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路;2. 用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路;2. 用H参数小信号模型分析基本共射极放大电路; 1. 电路如图所示。试画出其小信号等效模型电路。;例题;讨论: 上面例题的Q:Vces=0.7V,Vcc=12V,Rc=4K,ICQ=2mA,VCE=4V;共射极放大电路;3. 小信号模型分析法的适用范围;2.4 共集电极放大电路和共基极放大电路;2.4.1 共集电极放大电路;;;;2.4.1 共集电极放大电路;④输出电阻;2.4.2 共基极放大电路;2.动态指标;② 输入电阻;2.4.3 放大电路三种组态的比较;2.三种组态的比较;3.三种组态的特点及用途;2.5 放大电路静态工作点的稳定问题;;2.5.2 射极偏置电路;Re 的作用—射极偏置电阻; ① Q 点分析; (2) 放大电路指标分析;②电压增益;②电压增益;③输入电阻;④输出电阻;(3). 固定偏流电路与射极偏置电路的比较;(3). 固定偏流电路与射极偏置电路的比较;;二、稳定静态工作点的方法;讨论一;2. 含有双电源的射极偏置电路;2. 含有双电源的射极偏置电路;3. 含有恒流源的射极偏置电路;4.6 组合放大电路;4.6.1 共射—共基放大电路;4.6.1 共射—共基放大电路;4.6.1 共射—共基放大电路;;4.6.2 共集—共集放大电路;4.6.2 共集—共集放大电路;4.6.2 共集—共集放大电路;同学自己组织计算;;;;4.7 放大电路的频率响应;4.7.1 单时间常数RC电路的频率响应;最大误差 -3dB;最大误差 -3dB;2. RC高通电路的频率响应;例 4.7.1;4.7.2 BJT的高频小信号模型及频率参数;②简化模型;2. BJT高频小信号模型中元件参数值的获得;又因为;3. BJT的频率参数---- 管子对不同频率信号的放大能力;;4.7.3 单级共射极放大电路的频率响应;4.7.3

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