2014华师电子电路基础在线作业要点.pdf

1．第 1 题 当 PN结外加反向电压时， 扩散电流 （ ）漂移电流， 耗尽层变宽。 A. 大于 B. 小于 C.等于 D.不确定 您的答案： A 题目分数： 2.0 此题得分： 0.0 2．第 2 题 影响放大器高频特性的原因是（ ）。 A. 极间耦合电容 B.发射极旁路电容 C.三极管结电容 D.温度 您的答案： C 题目分数： 2.0 此题得分： 2.0 3．第 3 题 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ ）。 A. 大 B.. 小 C.相等 D.无法判定 您的答案： A 题目分数： 2.0 此题得分： 2.0 4．第 4 题 在本征半导体中掺入 3 价元素就成为（ ）型半导体。 A.P 型半导体 B.N 型半导体 C.PN结 D.纯净半导体 您的答案： C 题目分数： 2.0 此题得分： 0.0 5．第 5 题 测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为 12.2V、12V、0V, 则三极管的三个电极分别是（ ）。 A.(E 、B、C) B.(C 、B、E) C.(B 、C、E) D.(B 、E、C) 您的答案： A 题目分数： 2.0 此题得分： 2.0 6．第 6 题 测得 NPN型三极管三个电极的电位分别为 UC=3.3V，UB=3.7V， U=3V，则该管工作在（ ） E A. 放大区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区 您的答案： C 题目分数： 2.0 此题得分： 2.0 7．第 7 题 在放大电路中 , 测得三极管三个电极电位分别为 3.2V 、3V、6V， 则该管属于（ ） A. 锗 NPN型 B.锗 PNP型 C.硅 NPN型 D.硅 PNP型 您的答案： A 题目分数： 2.0 此题得分： 2.0 8．第 8 题 图示电路是（ ）电路。 A. 微分电路 B.积分电路 C.指数电路 D.对数电路 您的答案： A 题目分数： 2.0 此题得分： 2.0 9．第 9 题 在固定偏置放大电路中，当 RC 、RB 的参数分别为（ ）时，该电路 的静态工作点处在放大区。设三极管的 β=100。 A.5.6k Ω、10kΩ B.5.6k Ω、510k Ω C.5.6k Ω、10MΩ D.100k Ω、1MΩ 您的答案： B 题目分数： 2.0 此题得分： 2.0 10．第 10 题 锗二极管的死区电压是（ ）。 A.0.1~0.2V B.0.5V C.0.7V D.0.6V 您的答案： A 题目分数： 2.0 此题得分： 2.0 11．第 11 题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（ ） A. 晶体缺陷 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺 您的答案： C 题目分数： 2.0 此题得分： 2.0 12．第 12 题 N 型半导体可以在纯净半导体中掺入 ( ) 价元素实现。 A.3 B.4 C.5 D.6 您的答案： C 题目分数： 2.0 此题得分： 2.0 13．第 13 题 测得三极管发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于 ( ) A. 放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.击穿状态 您的答案： C 题目分数： 2.0 此题得分： 0.0 14．第 14 题 测某放大电路中三极管各极电位分别是 0 V、-6V 、0.2V ，则三 极管的三个电极分别是（ ）。 A.(E 、