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微波晶体管放大器设计
导师：陈建新
学生：潘海鑫
1.引言
随着通信技术特别是无线通信技术的飞速发展， 人们对于无线通信终端的要 求进一步提高，作为承担天线感应下来的微弱信号放大任务的低噪声放大器也必 须进一步的适应通信信号对其的要求。
通信信号本身就是高频载波信号， 这就要求低噪声放大器能够在高频情况下 工作。由于硅器件的截止频率fT为50GHz的理论极限已在日趋接近。在这种情 况下，由于三 ~五族化合物半导体 GaAs 的电子迁移率比硅高出 5 倍，目前的戒 指频率fT已经超过了 100GHz，集成化技术也取得很大进展，但是 GaAs材料具 有明显的缺点： 价格贵 它的晶片制造工艺复杂，难
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