LED制造工艺流程.pptx

LED制造工艺流程;;技术路线;衬底制备;;;光刻是一个整体概念，它包括以下几个过程(以正胶为例)： (1) 涂光刻胶；(2) 前烘；(3) 曝光(使用光刻版掩膜)； (4) 显影；(5) 坚膜；(6) 腐蚀；(7) 去胶;曝光;显影并坚膜;去胶;;;RIE (Reactive Ion Etching)反应离子刻蚀;ICP (Induced Coupled Plasma)电感耦合等离子体;外延材料生长;反应原理、反应方程式;外延层结构;外延片检测;外延片;P面工艺;P型接触层蒸发合金;粘结层蒸发;粘结层光刻;薄膜转移;;;去Si衬底 522( HNO3:HF:冰乙酸);;去边(去GaN防止漏电) （1）SiO2掩膜生长;去边 （2）SiO2掩膜光刻;去边 （3）去边腐蚀;去边 （4）去Pt (P型接触层);去边 （5）去SiO2;;N面工艺;钝化 （1）SiN生长;钝化 （2）SiN光刻;N电极蒸发（Al）;N电极光刻（Al）;芯片点测;划片;芯片分选;手选;;封装;;封装工艺说明;点胶 在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。）工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。 由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。;备胶 和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在ＬＥＤ背面电极上，然后把背部带银胶的ＬＥD安装在支架上。备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺。 手工刺片 将扩张后LED芯片（备胶或未备胶）安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产品。; 自动装架 自动装架其实是结合了粘胶（点胶）和安装芯片两大步骤，先后在LED支架点上银胶（绝缘胶），然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。 自动装架在工艺上主要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED芯片表面的损伤，特别是蓝、绿色芯片必须用胶木的。因??钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。;烧结 烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。 银胶烧结的温度一般控制在150℃，烧结时间2小时。根据实际情况可以调整到170℃，1小时。 绝缘胶一般150℃，1小时。银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小时（或1小时）打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。烧结烘箱不得再其他用途，防止污染。;压焊 压焊的目的将电极引到LED芯片上，完成产品内外引线的连接工作。 LED的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。右图是铝丝压焊的过程，先在LED芯片电极上压上第一点，再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。金丝球焊过程在在压第一点前先烧个球，其余过程类似。 压焊是LED封装技术中的关键环节，工艺上主要需要监控的压焊金丝（铝丝）拱丝形状，焊点形状，拉力。 对压焊工艺的深入研究涉及到多方面的问题，如金（铝）丝材料、超声功率、压焊压力、劈力（钢嘴）选用、劈刀（钢嘴）运动轨迹等等。（下图是同等条件下，两种不同的劈刀压出的焊点微观照片，两者在微观结构上存在差别，从而影响着产品质量。）; 灌胶封装 Lamp-LED的封装采用灌胶的形式。灌封的过程是先在LED成型模腔内注入液态环氧，然后插入压焊好的LED支架，放入烘箱让环氧固化后，将LED从模腔中脱出即成型。 固化与固化后 固化是指封装环氧的固化，一般环氧固化条件在135℃，1小时。模压封装一般在150℃，4分钟。 后固化 后固化是为了让环氧充分固化，同时对LED进行热老化。后固化对于提高环氧与支架（PCB）的粘结强度非常重要。一般条件为120℃，4小时。; 切筋和划片 由于LED在生产中是连在一起的（不是单个），Lamp封装采用切筋切断LED支架的连筋。SMD-LED则是在一片PCB板上，需要划片机来完成分离工作。 测试 测试LED的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户要求对LED产品进行分选。 包装 将成品进行计数包装。超高亮LED需要防静电包装。 ;;9、春去春又回，新桃换旧符。在那桃花盛