俄歇电子AES能谱XXXX.pptx

Auger电子能谱(AES)Auger Electron spectroscopy ;1.前言;1.前言;1.前言--AES的特点;2.Auger过程;在原子内某一内层电子电离而形成空位(如K层)，则该电离原子的去激发可以有两种方式： 一个能量较高态的电子填充该空位，同时发出特征X射线，即辐射跃迁。 一个较高能量的电子跃迁到空位，同时另一个电子被激发发射，这是一无辐射跃迁过程，这一过程被称为Auger效应,被发射的电子称为Auger电子。 ;Auger跃迁的标记 ;AES ?? Auger效应;AES ?? Auger效应;2.3 EAES与 XAES的比较;EAES与 XAES的比较;2.4 俄歇分析的选择;2.5俄歇???子产额;2.6 俄歇电子能谱的基本原理;Auger电子能谱手册;3. 俄歇电子能谱仪的组成;3.1 电子枪;3.2 电子能量分析器;电子能量分析器;3.3 真空系统;3.4 离子枪和预处理室;3.5 其它附件;;4. Auger电子能谱的测量 ;俄歇电子能谱;?? 定性分析;俄歇电子像;4.1 直接谱;直接谱;4.2微分谱 ;俄歇电子有很强的背底噪音.;微分谱;5. AES分析方法 ;定性分析的一般步骤：;定性分析 ;定性分析 ;俄歇电子能谱定性分析总结;5.2．半定量分析;AES定量分析的主要困难;5.3. 扫描Auger显微探针(SAM)：微区分析;扫描Auger显微探针(SAM) ;扫描Auger显微探针(SAM);5.3 微区分析;5.3.1 微区分析(点分析);5.3.1 点分析;5.3.2 线扫描分析 ;5.3.2 线扫描分析;5.3.2 线扫描分析;5.3.3 面扫描分布图;5.3.3 面扫描分布图;5.3.3 面扫描分布图;深度剖面分析是利用具有一定能量的离子束对样品表面进行剥离，同时采集各元素的Auger电子能谱，从而获得元素含量与刻蚀时间(深度)的分布情况。 离子枪引出的一般是具有500eV~5keV的Ar离子，束径则根据离子枪的种类不同而有较大的差异。 ;离子束刻蚀对界面也有宽化 ;深度剖面分析;深度剖面分析;深度剖面分析;5.6. 化学效应 ;Auger电子的化学效应的特点：;化学效应;化学效应;5.7 样品制备;6.俄歇电子能谱的应用 ;6.1 固体表面清洁程度的测定 ;固体表面清洁程度的测定;6.2 表面吸附和化学反应的研究 ;表面吸附和化学反应的研究;6.3 薄膜厚度测定 ;薄膜厚度测定;6.4 薄膜的界面扩散反应研究 ;薄膜的界面扩散反应研究;6.5 固体表面离子注入分布及化学状态的研究 ;6.5 固体表面离子注入分布及化学状态的研究 ;6.6 薄膜制备的研究 ;薄膜制备研究;薄膜制备研究;6.7 失效分析 ;6.8 材料的元素偏析研究 ;材料的元素偏析研究;6.9 固体化学反应研究 ;固体化学反应研究 ;固体化学反应;6.10 表面扩散研究 ;6.11 摩擦化学研究 ;摩擦化学研究 ;6.12 薄膜催化剂的研究 ;薄膜催化剂的研究