光刻基础工艺培训.pptx

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光刻基础工艺培训;一、光刻工序的工艺目的及要求;二、光刻工序使用化学材料;三、光刻工艺流程;3.1受入;;;3.2前处理; ;3.3、光刻胶的涂敷及前烘;;涂胶的基本步骤: 予转,主要去除硅片表面的悬浮物 滴胶,主要将足量的光刻胶打在硅片的圆心 推胶,主要将硅片圆心的胶分布到整个硅片表面 甩胶,主要将硅片上多余的胶甩走,并且使胶膜 的厚度一致、均匀 背清,主要是去除硅片背面及正面边缘的厚胶 甩干,主要是去除多余的背清液 ;光刻胶;光刻胶的性能指标;B、前烘主要是将涂敷在硅片上的光刻胶进行干燥,因为光刻胶在涂敷时是液态的(为了便于涂敷),而在后工序中硅片表面会受到一定程度的机械力,为了避免胶膜的变形,必须在热板上烘焙一下,但是也不能无限制烘焙,因为光刻胶中很重要的成分感光剂后工序还要用,如果前烘过量,感光剂挥发掉了,那光刻胶也就没用了,所以前烘的要求是选择正确的温度和时间。;;;3.4、对位曝光;对准法则;;;;;;3.5显影及后烘;;;显影的后烘;;3.6 显影检验;;;;;;3.7刻蚀(亦称腐蚀);;;;3.8光刻胶的去除;3.9 腐蚀后检、去胶后检验;;;;;;;;

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