非晶硅薄膜太阳能电池项目建设可研报告.docx

- - PAGE # - 一个很小的电流进行测定，为了不影响电流的测量采取除潮或扩散杂质的方法。 因此，测量通常是在真空或惰性气体的环境中进行，样品需要退火半小时到 1500C来蒸发所有薄膜表面的潮气。应用 100V电压来控制1卩m厚的a-Si:H样 品接收10个微安的电流，便于测量。 暗电导决定于:U Id(2) 暗电导决定于: U Id (2) U是外施电压，I是测得电流，I是电极长度（?1-2cm），w是两电极间的 距离（0.5-1mm），d是薄膜的厚度。 光电导率 光电导率可以给予测量按电导率的样品材料通以合适的光照进行测量。 a-Si:H的光电流可以用等式（2）进行计算，且应该高1