太阳电池培训讲义.pptx

后段培训报告讲师：黎剑骑培训时间：2012、9目录后段工艺培训内容学习体会RothRau PECVDBACCINI丝网印刷Despatch烧结炉Halm测试总结RothRau PECVD目录 1、板式镀膜设备介绍 2、镀膜原理及作用 3、镀膜工艺流程与工艺控制分析 4、镀膜常见问题及其解决方法 5、镀膜现阶段改进状况RothRau 镀膜设备RothRau PECVDCentrotherm PECVD镀膜原理及作用PECVD： Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (等离子增强化学气相沉积) 等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱落原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合物组成的一种形态，这种形态就称为等离子态即第四态。等离子体从宏观来说也是电中性，但是在局部可以为非电中性。PECVD工作原理 --- 是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在硅片上沉积出所期望的薄膜。 所用的活性气体为SiH4和NH3。这些气体经解离后反应，在硅片上长出氮化硅膜。可以根据改变硅烷对氨的比率，来得到不同的折射指数。在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离子的产生，使得晶片的氢钝化性十分良好。PECVD的作用 - 生成Si3N4减反膜和H钝化SiNx:H介绍: 正常的SiNx的Si/N之比为0.75，即Si3N4。但是PECVD沉积氮化硅的化学计量会随工艺不同而变化，Si/N变化的范围在0.75-2左右。除了Si和N，PECVD的氮化一般还包含一定比例的氢原子，即SixNyHz或SiNx:H.Si3N4膜的认识Si3N4膜的颜色随着它的厚度的变化而变化，其理想的厚度是73—77nm之间，但实际控制在85±2nm之间，表面呈现的颜色是深蓝色。Si3N4膜的折射率在1.9—2.1之间为最佳，实际控制在2.07±2之间，用椭偏移进行测量。Si3N4膜颜色和厚度对照表对于Mc—Si，因存在较高的晶界、点缺陷（空位、填隙原子、金属杂质、氧、氮及他们的复合物），因此对材料表面和体内缺陷进行钝化就显得特别重要。钝化硅体内的悬挂键等缺陷。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用PECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。 应用PECVD Si3N4可使表面复合速度小于20cm/s。H钝化技术镀膜工艺流程 手动加载工艺试片上片镀膜流程下片镀膜工艺过程控制 1、膜厚、折射率为满足现阶段工艺要求，两者分别控制在： 膜厚：85 ± 2 折射率：2.07 ± 2现阶段正在进行三成膜实验，其实验方案如下:方案号序号123451SiH4280250150150308030NH36006806806801504501502SiH4280250150150000NH36006806806801504501503SiH40280200150308030NH310006806806801504501504SiH40280200150000NH31000680680680150450150 2. 微波功率、温度通过实验对比，目前确定微波功率：3000w；温度400 ℃. 温度400 ℃对比试验如下：实验结果批次号 Isc Uoc FF Eta RS Rsh Irev2 低效备注 B009 8.440.61978.6616.89%0.0024650.2192350℃B002 8.460.6278.7416.99%0.0025340.2333400℃Range0.020.0010.080.10%0690.014150℃B008 8.510.62178.0416.920.002534.80.1810350℃B010 8.520.62178.1616.980.002573.80.1742400℃Range0.010.010.120.06%038.9820.007250℃镀膜异常与解决方法镀膜现阶段改进状况硅片镀膜外观挂勾印改善：改善后挂钩形状原挂钩形状SIH4 NH3该区域由于有倾斜角度，气体可以通过，所以挂钩点较小。（只有最边缘与挂钩接触部分有印痕）该区域由于气体被钩点挡住，所以挂钩点较大。SIH4 NH3印痕明显变小挂钩点照片对比：挂钩印明显变小镀膜后改善后镀膜钩点偏离电池片的有效区域，且钩点面积也大为缩小，有效的防止了漏电，同时也大大改善了电池片绝缘性能。印刷后挂钩印明显变小BACCINI丝网印刷目录 1、丝网印刷设备介绍 2、丝网印刷原理/目的 3、丝网印刷构造分析 4、丝网印刷条件和工艺过程