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AK1805S
AK N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The AK1805S uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
● V =185V,I =5A Schematic diagram
DS D
RDS(ON) 60mΩ @ VGS=10V ( Typ: 50mΩ)
●High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterized avalanche voltage and current
●Low gate to drain charge to reduce switching losses
Application
● Power switching application
●Hard switched and high frequency circuits
● Uninterruptible power supply
100% ∆Vds TESTED!
Package Marking and Ordering Information
Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity
AK1805S AK1805S SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units
Absolute Maximum Ratings (T =25℃unless otherwise noted)
A
Parameter Symbol Limit Unit
Drain-Source Voltage VDS 185 V
Gate-Source Voltage VGS ±20 V
Drain Current-Continuous ID 5 A
Drain Current-Continuous(T =100℃) I (100℃) 3.5 A
C D
Pulsed Drain Current(Note 1) IDM
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