AKZF11N60S广东奥科半导体.pdf

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AKZF11N60S N-Channel 600V (D-S) Super Junction Power MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) at TJ max. 600 • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg RDS(on) max. at 25 °C (Ω) VGS = 10 V 0.38 • Low input capacitance (Ciss) Q max. (nC) 38 • Reduced switching and conduction losses g Qgs (nC) 4 • Ultra low gate charge (Qg) Qgd (nC) 4.2 • Avalanche energy rated (UIS) Configuration Single APPLICATIONS • Server and telecom power supplies • Switch mode power supplies (SMPS) • Power factor correction power supplies (PFC) • Lighting - High-intensity discharge (HID) - Fluorescent ballast lighting • Industrial TO-251 D G S G D S N-Channel MOSFET