TSA5V100 DO-27广东奥科半导体.pdf

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2021-09-14 发布于广东
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TSA5V100 DO-27 Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Reverse Voltage - 100 V Forward Current - 5 A FEATURES Advanced trench technology  Low forward voltage drop  Low power losses  High efficiency operation  Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives MECHANICAL DATA  Case: DO-201AD/DO-27 Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Approx. Weight: 0.98g / 0.0345oz DO-201AD/DO-27 Maximum Ratings (Per Leg) at Ta=25°C unless otherwise specified Parameter Symbols Value Units Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 100 V Maximum RMS voltage VRMS 100 V Maximum DC Blocking Voltage VDC 100 V Maximum Average Forward Rectified Current Per diode IF(AV) 5 A Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-wave IFSM 200 A superimposed on rated load per diode Operating Temperature Range TJ -55 ~ +150 °C Storage Temperature Range TSTG -55 ~ +150 °C Typical Thermal Resistance Per diode(munted on