场效应MOS管AK01P05S参数-5A-100V封装SOP-8.pdf

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2021-09-14 发布于广东
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AK01P05S AK P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The AK01P05S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● V =-100V,I =-5A Schematic diagram DS D RDS(ON) 100mΩ @ VGS=-10V (Typ:85mΩ) RDS(ON) 120mΩ @ VGS=-10V (Typ:95mΩ) ● Super high dense cell design ● Advanced trench process technology ● Reliable and rugged ● High density celldesign for ultra low on-resistance Application ● Power switch ● DC/DC converters Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity AK01P05S AK01P05S SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -5 A Drain Current-Continuous(T =100℃) I (100℃) -3.5 A C D Pulsed Drain Current IDM -30 A Maximum Power Dissipatio