AKZE30N10广东奥科半导体.pdf

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AKZE30N10 N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES ® • TrenchFET Power MOSFETS V (V) r (Ω) I (A) (BR)DSS DS(on) D 100 0.030 at VGS = 10 V 35 • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package D TO-252 G G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ± 20 TC = 25 °C 35 Continuous Drain Current (TJ = 175 °C) ID TC = 125 °C