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AKZE5N60S
0Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 600
Requirement
RDS(on) (Ω) VGS = 10 V 0.85 • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Qg (Max.) (nC) 15 Ruggedness
Qgs (nC) 3 • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 6 and Current
Configuration Single • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
TO-252 D
G
G D S
S
Top View
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted
PARAMETER SYMBOL LIMIT UNIT
Drain-Source Voltage VDS 600
V
Gate-Source Voltage VGS
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